发明公开
- 专利标题： 蚀刻工艺腔室、半导体制造设备以及蚀刻晶片的方法
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申请号： CN202210054090.7申请日： 2022-01-17
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公开(公告)号： CN114975166A公开(公告)日： 2022-08-30
- 发明人: 陈建良 , 王健宇 , 陈韦达 , 郑又宁 , 陈世宗 , 李永尧
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 代理机构： 南京正联知识产权代理有限公司
- 代理商 顾伯兴
- 优先权： 63/185,572 20210507 US 17/405,066 20210818 US
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; H01L21/306
摘要：
本发明实施例提供一种用于气体流向控制的悬臂配置为支持关联的蚀刻工艺腔室中的电极收容盆。悬臂可以具有圆形、椭圆形或翼型形的横截面。悬臂的形状引起在腔室内且在悬臂周围的气体及蚀刻产物的流动，减少了晶片边缘的周围的紊流。
IPC分类:
