公开(公告)号：CN114975166A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210054090.7

申请日：2022-01-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈建良 ,  王健宇 ,  陈韦达 ,  郑又宁 ,  陈世宗 ,  李永尧

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/306

摘要： 本发明实施例提供一种用于气体流向控制的悬臂配置为支持关联的蚀刻工艺腔室中的电极收容盆。悬臂可以具有圆形、椭圆形或翼型形的横截面。悬臂的形状引起在腔室内且在悬臂周围的气体及蚀刻产物的流动，减少了晶片边缘的周围的紊流。

公开(公告)号：CN113488369A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110759075.8

申请日：2021-07-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王健宇 ,  林鸿彬 ,  洪士平 ,  陈诗豪 ,  吕祯祥 ,  李秉中

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67

摘要： 一种用于等离子体刻蚀机的边缘环可包括环形底部部分及环形顶部部分，环形底部部分具有开口，开口的大小适于接纳用于支撑半导体装置的静电吸盘，环形顶部部分成一体地连接到环形底部部分的第一顶部。边缘环可包括环形倒角部分，环形倒角部分成一体地连接到环形底部部分的第二顶部且成一体地连接到环形顶部部分的一侧。环形倒角部分可包括从开口沿径向向外倾斜小于九十度的内表面。