Invention Publication
- Patent Title: 双激光裂片方法和装置
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Application No.: CN202210826507.7Application Date: 2022-07-14
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Publication No.: CN114985990APublication Date: 2022-09-02
- Inventor: 韩世飞 , 林学春 , 于海娟 , 何超建 , 宁超宇 , 李心瑶
- Applicant: 中国科学院半导体研究所
- Applicant Address: 北京市海淀区清华东路甲35号
- Assignee: 中国科学院半导体研究所
- Current Assignee: 中国科学院半导体研究所
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清华东路甲35号
- Agency: 北京清亦华知识产权代理事务所
- Agent 蒋松
- Main IPC: B23K26/53
- IPC: B23K26/53 ; B23K26/064 ; H01L21/78
Abstract:
本发明公开了一种双激光裂片方法和装置，该方法和装置为对脆性材料进行裂片的方法和装置，利用超短脉冲激光束的高峰值功率和“冷加工”的特点在材料非线性吸收，使得材料的局部位置发生爆破，形成微裂纹实现材料改质，然后利用短脉冲激光束或连续激光束的热特性实现材料内部裂纹的均匀扩展，最终获得表面粗糙度较低的材料表面。由于材料表面粗糙度较低，在进行研磨和抛光时可大大减小后续的加工时间，这样对加工效率有质的提升，同时降低了生产成本。
Public/Granted literature
- CN114985990B 双激光裂片方法和装置 Public/Granted day:2024-10-22
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IPC分类:
