发明公开
- 专利标题： 用于降低钨电阻率的方法和设备
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申请号： CN202180009087.7申请日： 2021-09-13
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公开(公告)号： CN115004335A公开(公告)日： 2022-09-02
- 发明人: 侯文婷 , 雷建新 , 乔斯林甘·罗摩林甘 , 普拉沙斯·科斯努 , 威廉·R·约翰逊
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国; 赵静
- 优先权： 17/021,661 20200915 US
- 国际申请： PCT/US2021/050030 2021.09.13
- 国际公布： WO2022/060662 EN 2022.03.24
- 进入国家日期： 2022-07-12
- 主分类号： H01L21/285
- IPC分类号： H01L21/285 ; C23C14/16 ; C23C14/34 ; C23C14/35
摘要：
在基板上形成低电阻率钨膜的方法及设备。在一些实施方式中，一种降低钨的电阻率的方法包括：以氪的处理气体且使用具有大约60MHz的频率的RF功率及磁控管，在物理气相沉积(PVD)腔室的处理空间中产生等离子体；将处于大约13.56MHz的频率的偏压功率施加至基板；和溅射钨靶材以在基板上沉积钨薄膜。所沉积的钨薄膜的至少大约90％具有大约平行于基板的顶部表面的1‑1‑0晶体取向平面。
IPC分类:
