公开(公告)号：CN112789724B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201980064979.X

申请日：2019-10-18

申请人： 应用材料公司

发明人： 普里亚达希·潘达 ,  雷建新 ,  侯文婷 ,  米哈埃拉·巴尔西努 ,  李宁 ,  桑杰·纳塔拉扬 ,  李智勇 ,  黄锡硕 ,  佐佐木信之 ,  康宋坤

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 本案描述存储器元件及形成存储器元件的方法。存储器元件包括具有至少一个膜堆叠的基板。膜堆叠包括在基板上的多晶硅层；在多晶硅层上的位线金属层；在位线金属层上的覆盖层；及在覆盖层上的硬遮罩。一些实施例的存储器元件包括在多晶硅层上的可选阻障金属层，且位线金属层在阻障金属层上。本案描述形成电子元件的方法，其中经由膜堆叠的膜转印一或更多个图案，以提供存储器元件的位线。

公开(公告)号：CN115004335A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180009087.7

申请日：2021-09-13

申请人： 应用材料公司

发明人： 侯文婷 ,  雷建新 ,  乔斯林甘·罗摩林甘 ,  普拉沙斯·科斯努 ,  威廉·R·约翰逊

IPC分类号： H01L21/285 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

摘要： 在基板上形成低电阻率钨膜的方法及设备。在一些实施方式中，一种降低钨的电阻率的方法包括：以氪的处理气体且使用具有大约60MHz的频率的RF功率及磁控管，在物理气相沉积(PVD)腔室的处理空间中产生等离子体；将处于大约13.56MHz的频率的偏压功率施加至基板；和溅射钨靶材以在基板上沉积钨薄膜。所沉积的钨薄膜的至少大约90％具有大约平行于基板的顶部表面的1‑1‑0晶体取向平面。

公开(公告)号：CN116711082A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180090981.1

申请日：2021-10-13

申请人： 应用材料公司

发明人： 本切基·梅巴基 ,  李正周 ,  侯文婷 ,  仓见隆 ,  艾弗里•V•劳格特 ,  雷建新 ,  吴立其 ,  雷蒙德·霍伊曼·亨 ,  河泰泓 ,  唐先敏

IPC分类号： H01L29/45

摘要： 一种半导体装置的接触堆叠结构包括：源极/漏极区；在源极/漏极区上方的金属硅化物层；直接在金属硅化物层上的金属帽层；及在金属帽层上的导体。一种方法包括：在基板的结构中沉积金属硅化物层；在金属硅化物层的沉积之后且在没有空气中断的情况下，直接在金属硅化物层上制备金属帽层；及在金属帽层上沉积导体。

公开(公告)号：CN112789724A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201980064979.X

申请日：2019-10-18

申请人： 应用材料公司

发明人： 普里亚达希·潘达 ,  雷建新 ,  侯文婷 ,  米哈埃拉·巴尔西努 ,  李宁 ,  桑杰·纳塔拉扬 ,  李智勇 ,  黄锡硕 ,  佐佐木信之 ,  康宋坤

IPC分类号： H01L27/108

摘要： 本案描述存储器元件及形成存储器元件的方法。存储器元件包括具有至少一个膜堆叠的基板。膜堆叠包括在基板上的多晶硅层；在多晶硅层上的位线金属层；在位线金属层上的覆盖层；及在覆盖层上的硬遮罩。一些实施例的存储器元件包括在多晶硅层上的可选阻障金属层，且位线金属层在阻障金属层上。本案描述形成电子元件的方法，其中经由膜堆叠的膜转印一或更多个图案，以提供存储器元件的位线。

公开(公告)号：CN111133558A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880061451.2

申请日：2018-09-18

申请人： 应用材料公司

发明人： 侯文婷 ,  雷建新 ,  李靖珠 ,  陶荣

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  C23C14/24 ,  H01L21/324 ,  C23C16/44 ,  H01L21/67

摘要： 于此提供了用于用钴填充特征的方法和设备。在一些实施方式中，一种用于处理基板的方法包括：经由化学气相沉积(CVD)工艺在基板的顶上和设置在基板中的特征内沉积第一钴层；及通过在具有钴靶材的物理气相沉积(PVD)腔室中执行等离子体处理以将第一钴层的一部分回流到特征中而至少部分地用钴或含钴材料填充特征。PVD腔室可被构造成从设置在PVD腔室中的钴靶材同步地沉积钴或含钴材料在特征内。

公开(公告)号：CN108884559A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680073063.7

申请日：2016-11-03

申请人： 应用材料公司

发明人： 刘振东 ,  侯文婷 ,  雷建新 ,  翁建业 ,  吕明谕

IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50

CPC分类号： C23C4/134 ,  C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/50 ,  C23C18/1646 ,  C23C18/1689 ,  C23C18/31 ,  C23C18/48 ,  C25D3/02 ,  C25D5/48 ,  C25D7/00 ,  C25D17/00 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32504 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/3476

摘要： 本公开内容的实施方式涉及用于在处理腔室中使用的改良的屏蔽物。在一个实施方式中，所述屏蔽物包括具有圆柱形状的中空主体和形成在主体的内表面上的涂覆层，所述圆柱形状大致上关于所述主体的中心轴对称。涂覆层由与在所述处理腔室中使用的溅射靶相同的材料形成。屏蔽物通过减少屏蔽物与溅射靶之间的发弧而有利地减少使用RF‑PVD沉积的膜中的颗粒污染物。发弧因屏蔽物的内表面上存在涂覆层而减少。

公开(公告)号：CN111133558B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201880061451.2

申请日：2018-09-18

申请人： 应用材料公司

发明人： 侯文婷 ,  雷建新 ,  李靖珠 ,  陶荣

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  C23C14/24 ,  H01L21/324 ,  C23C16/44 ,  H01L21/67

摘要： 于此提供了用于用钴填充特征的方法和设备。在一些实施方式中，一种用于处理基板的方法包括：经由化学气相沉积(CVD)工艺在基板的顶上和设置在基板中的特征内沉积第一钴层；及通过在具有钴靶材的物理气相沉积(PVD)腔室中执行等离子体处理以将第一钴层的一部分回流到特征中而至少部分地用钴或含钴材料填充特征。PVD腔室可被构造成从设置在PVD腔室中的钴靶材同步地沉积钴或含钴材料在特征内。