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公开(公告)号：CN111133558B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201880061451.2
申请日：2018-09-18
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/285 , C23C14/24 , H01L21/324 , C23C16/44 , H01L21/67
摘要： 于此提供了用于用钴填充特征的方法和设备。在一些实施方式中，一种用于处理基板的方法包括：经由化学气相沉积(CVD)工艺在基板的顶上和设置在基板中的特征内沉积第一钴层；及通过在具有钴靶材的物理气相沉积(PVD)腔室中执行等离子体处理以将第一钴层的一部分回流到特征中而至少部分地用钴或含钴材料填充特征。PVD腔室可被构造成从设置在PVD腔室中的钴靶材同步地沉积钴或含钴材料在特征内。
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公开(公告)号：CN114929930A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008729.1
申请日：2021-03-25
申请人： 应用材料公司
摘要： 本案提供了用于清洁经配置用于处理基板的处理套件的方法和设备。例如，用于处理基板的处理腔室可以包括腔室壁；溅射靶，该溅射靶设置在该内部空间的上部中；基座，该基座包含基板支撑件，该基板支撑件具有支撑表面以支撑在该溅射靶下方的基板；功率源，经配置激发(energize)溅射气体以用于在该内部空间中形成等离子体；处理套件，该处理套件围绕该溅射靶和该基板支撑件；和ACT和控制器，该ACT连接到该基座，该控制器经配置使用该ACT来调谐该基座以维持该内部空间中的该等离子体与该处理套件之间的预定电势差，其中该预定电势差是基于该ACT的总电容的百分比和与该处理腔室的接地路径相关的杂散电容。
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公开(公告)号：CN113261075A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201980086259.3
申请日：2019-11-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/768
摘要： 本文公开的实施方式包括用于形成触点的处理系统及方法。此处理系统包括多个处理腔室，经配置以沉积、蚀刻和/或退火基板的源极/漏极区。此方法包括在源极/漏极区上方沉积经掺杂半导体层、在沟槽中形成锚定层、以及在沟槽中沉积导体。用于形成触点的方法通过使用集成处理造成降低的触点电阻，此集成处理容许源极/漏极触点形成的各种操作在相同处理系统内执行。
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公开(公告)号：CN117501823A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280040098.6
申请日：2022-06-17
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本文描述位线堆叠及形成位线堆叠的方法。位线堆叠包含：多晶硅层；在多晶硅层上的粘着层；在粘着层上的阻挡金属层；在阻挡金属层上的界面层；在界面层上的电阻降低层；及在电阻降低层上的导电层。具有电阻降低层的位线堆叠比不具有电阻降低层的可比较的位线堆叠具有低至少5％的电阻。电阻降低层可包括氧化硅或氮化硅。可使用物理气相沉积(PVD)、射频‑PVD、脉冲式‑PVD、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)或溅射处理的一者或多者形成电阻降低层。
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公开(公告)号：CN108140560B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201680059853.X
申请日：2016-10-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/34 , H01L21/02 , H01L21/285
摘要： 在此公开用于将耐火金属层溅射到设置在基板上的阻挡层上的系统和方法。在一或多个实施方式中，在集成电路中溅射沉积钨结构的方法包括以下步骤：将基板移动到等离子体处理腔室中，且移动到与溅射靶材组件相对的基板支撑件上，溅射靶材组件包含具有不超过10ppm的碳和不超过10ppm的氧作为杂质存在的钨靶材；将氪气流入等离子体处理腔室；和将氪气激发成等离子体，以通过溅射而在由基板支撑件所支撑的基板的材料层上沉积钨膜层。在一些实施方式中，靶材组件进一步包括钛背板和设置在钛背板与钨靶材之间的铝粘合层。
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公开(公告)号：CN115039244A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202180012161.0
申请日：2021-04-01
申请人： 应用材料公司
摘要： 一种形成磁阻随机存取存储器(MRAM)结构的隧道层的方法包括：通过利用射频(RF)功率溅射MgO靶材来形成第一氧化镁(MgO)层；将第一MgO层暴露给在大约10sccm至大约15sccm的流量下的氧气大约5秒至大约20秒；和通过利用RF功率溅射MgO靶材而在第一MgO层上形成第二MgO层。该方法可在处理腔室的定期维护之后执行，以增加隧道层的隧道磁阻(TMR)。
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公开(公告)号：CN114730735A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080080696.7
申请日：2020-11-03
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 一种平滑化存储器结构的位线金属的顶表面的工艺减少位线堆叠的电阻。此工艺包括在基板上的多晶硅层上沉积大约30埃至50埃的钛层、在钛层上沉积大约15埃至大约40埃的第一氮化钛层、在大约摄氏700度至摄氏850度的温度退火基板、在退火之后的第一氮化钛层上沉积大约15埃至大约40埃的第二氮化钛层、及在第二氮化钛层上沉积钌的位线金属层。
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公开(公告)号：CN108292596A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680062100.4
申请日：2016-09-08
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/28 , H01L27/108
CPC分类号： H01L29/4975 , C23C14/0036 , C23C14/022 , C23C14/0641 , C23C14/5826 , H01L21/28088 , H01L21/28097 , H01L21/28202 , H01L21/2855
摘要： 本公开内容的实施方式包括氮硅化钨膜和沉积氮硅化钨膜的方法。在一些实施方式中，一种薄膜微电子器件包括半导体基板，该基板具有钨栅极电极堆叠，该钨栅极电极堆叠包含氮硅化钨膜，该氮硅化钨膜具有WxSiyNz的化学式，其中x是约19至约22原子百分比，y是约57至约61原子百分比，z是约15至约20原子百分比。在一些实施方式中，一种处理安置于物理气相沉积(PVD)腔室的基板的方法包括：将具有栅极绝缘层的基板暴露于等离子体，该等离子体由第一处理气体形成，该第一处理气体包含氮和氩；从安置于该PVD腔室的处理容积内的靶材溅射硅和钨材料；将如上所述的氮硅化钨层沉积在该栅极绝缘层顶上；和将块状钨层沉积于该氮硅化钨层顶上。
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公开(公告)号：CN117198869A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311032383.6
申请日：2017-10-02
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/285 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/35 , H01L21/324
摘要： 描述了含钌的栅极层叠和形成含钌栅极层叠的方法。含有钌的栅极层叠包含：多晶硅层，在基板上；硅化物层，在多晶硅层上；阻挡层，在硅化物层上；钌层，在阻挡层上；及间隔层，包含在钌层的侧面上的氮化物，其中钌层在形成间隔层之后基本上不包含氮化钌。形成钌层包含以下步骤：在氪环境中在包含高电阻率陶瓷材料的高电流静电卡盘上溅射钌。溅射的钌层在大于或等于约500℃的温度下退火。
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