Invention Publication
- Patent Title: 半导体器件的散热和制造方法
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Application No.: CN202210277567.8Application Date: 2022-03-21
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Publication No.: CN115084053APublication Date: 2022-09-20
- Inventor: 蔡承峯 , 朱政屹 , 许志成 , 张惠政 , 杨育佳
- Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹
- Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹
- Agency: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- Agent 桑敏
- Priority: 63/184,506 20210505 US 17/381,583 20210721 US
- Main IPC: H01L23/367
- IPC: H01L23/367 ; H01L27/092 ; H01L23/528 ; H01L21/768 ; H01L21/8238
Abstract:
本公开涉及半导体器件的散热和制造方法。公开了具有改进的散热的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括第一晶体管结构；前侧互连结构，位于所述第一晶体管结构的前侧上，所述前侧互连结构包括前侧导电线；后侧互连结构，位于所述第一晶体管结构的后侧上，所述后侧互连结构包括后侧导电线，所述后侧导电线具有的线宽大于所述前侧导电线的线宽；以及第一散热衬底，耦合到所述后侧互连结构。
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IPC分类:
