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公开(公告)号：CN117954447A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311400656.8
申请日：2023-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , B82Y10/00
Abstract: 本公开涉及纳米结构FET半导体器件及其形成方法。实施例包括纳米结构器件和形成纳米结构器件的方法，包括处理工艺以膨胀侧壁间隔件材料，以便封闭沉积之后的侧壁间隔件材料中的接缝。该处理工艺包括氧等离子体处理，以膨胀侧壁间隔件材料并交联开放的接缝以形成封闭接缝，降低了k值，并减小了密度。
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公开(公告)号：CN117393504A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202310937957.8
申请日：2023-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L23/544
Abstract: 本申请公开了用于缺陷检查的阱调节。一种方法包括形成衬垫层。衬垫层包括在半导体衬底的第一区域之上的第一部分和在半导体衬底的第二区域之上的第二部分。第一部分具有第一厚度，并且第二部分具有小于第一厚度的第二厚度。然后对半导体衬底进行退火以在半导体衬底的第一区域之上形成第一氧化物层，并在半导体衬底的第二区域之上形成第二氧化物层。去除衬垫层、第一氧化物层和第二氧化物层。在半导体衬底的第一区域和第二区域之上、并与半导体衬底的第一区域和第二区域相接触地外延生长半导体层。
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公开(公告)号：CN116247100A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310080937.3
申请日：2023-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，半导体装置的制造方法包含：沉积多层堆叠于半导体基材上，多层堆叠包含交替的多个牺牲层及多个通道层；形成虚设栅极于多层堆叠上；形成第一间隙壁于虚设栅极的侧壁上；进行第一布植工艺，以形成第一掺杂区域，第一布植工艺具有第一布植能量及第一布植剂量；进行第二布植工艺，以形成第二掺杂区域，其中第一掺杂区域及第二掺杂区域是在通道层中，未被第一间隙壁及虚设栅极覆盖的部分，第二布植工艺具有第二布植能量及第二布植剂量，第二布植能量是大于第一布植能量，且第一布植剂量是不同于第二布植剂量。
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公开(公告)号：CN115524028A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210173755.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01K11/00
Abstract: 一种量测基板温度的设备、系统及方法。将发射例如激光脉冲的光信号的发光源施加至基板上。发光源另一侧上的侦测器接收反射激光脉冲。侦测器亦接收与从基板的表面辐射的温度或能量密度相关联的发射信号。温度量测系统使用所接收的激光脉冲及发射信号来确定热制程期间基板的温度。为了提高反射激光脉冲的讯杂比，可以使用偏振器来偏振激光脉冲以具有S偏振。也可以控制偏振激光脉冲朝向基板施加的角度，以提高侦测器端的讯杂比。
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公开(公告)号：CN115440665A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210926119.6
申请日：2022-08-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括在半导体基板上方沉积多层堆叠，多层堆叠包括与多个通道层交替的多个牺牲层；在多层堆叠中形成第一凹陷处；在第一凹陷处中的这些牺牲层的侧壁上形成多个第一间隔物；在第一凹陷处中沉积第一半导体材料，其中第一半导体材料是未掺杂的，其中第一半导体材料与第一间隔物中的至少一者的侧壁和底表面物理性接触。在第一半导体材料内布植掺质，其中在布植掺质之后，第一半导体材料具有梯度掺杂的分布；以及在第一半导体材料上方在第一凹陷处中形成外延的源极/漏极区域，其中外延的源极/漏极区域的材料不同于第一半导体材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110783274B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201910700892.9
申请日：2019-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及集成电路器件及其制造方法。一种方法，包括：在半导体衬底的第一部分上形成栅极堆叠；移除半导体衬底的位于栅极堆叠的一侧上的第二部分以形成凹槽；从凹槽开始生长半导体区域；用杂质注入半导体区域；以及在半导体区域上执行熔化退火，其中，半导体区域的至少一部分在熔化退火期间熔化。
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公开(公告)号：CN115376965A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210818135.3
申请日：2022-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体制造设备包括第一高温计和第二高温计，分别配置为监测来自基座上的晶圆背侧上的第一点和第二点的热辐射。半导体制造设备包括位于外延成长腔室的第一区域中的第一加热源以及位于外延成长腔室的第二区域中的第二加热源，其中第一控制器配置为基于监测到的来自第一点和第二点的热辐射来调整第一加热源和第二加热源的输出。导体制造设备包括第三高温计和第四高温计，配置为监测来自晶圆前侧上的第三点和第四点的热辐射，其中第二控制器配置为基于监测到的来自晶圆第一点、第二点、第三点和第四点的热辐射来调整注入到外延成长腔室中的一或多种前驱物的流率。
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公开(公告)号：CN115249651A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210146292.4
申请日：2022-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种鳍式场效晶体管装置和形成鳍式场效晶体管装置的方法，形成鳍式场效晶体管装置的方法包括：在第一鳍和第二鳍上形成栅极结构；在栅极结构的第一侧形成分别在第一鳍和第二鳍中的第一凹槽和第二凹槽；以及在第一凹槽和第二凹槽中形成源极/漏极区域，包括：在第一凹槽和第二凹槽中形成阻障层；在阻障层上形成第一磊晶材料，其中在第一鳍上的第一磊晶材料的第一部分与在第二鳍上的第一磊晶材料的第二部分空间上隔开；在第一磊晶材料的第一部分和第二部分上形成第二磊晶材料，其中第二磊晶材料从第一鳍连续延伸至第二鳍；以及在第二磊晶材料上形成覆盖层。
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公开(公告)号：CN114975437A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110749302.9
申请日：2021-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种纳米结构场效晶体管与其形成的方法，纳米结构场效晶体管包括具有鳍部的基材、隔离区域在基材上并沿鳍部的相异侧、纳米结构在鳍部上、磊晶源极/漏极区相邻于纳米结构、及栅极电极在纳米结构上。磊晶源极/漏极区包括第一半导体材料部分，每个第一半导体材料部分接触至少一个纳米结构的端点，第一半导体材料部分彼此隔开，第一半导体材料部分具有第一掺杂浓度的第一导电型掺杂剂。磊晶源极/漏极区包括第二半导体材料层，第二半导体材料层具有第二掺杂浓度的第一导电型掺杂剂，第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度，第二半导体材料层包括覆盖每个第一半导体材料部分的单层。
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公开(公告)号：CN114975283A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210397631.6
申请日：2022-04-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/67 , H01L27/092 , H01L29/78 , C30B25/08 , C30B25/14 , C30B25/16
Abstract: 一种处理系统、半导体元件及其制造方法，方法包括在半导体基板上流动第一前驱物以形成磊晶区域，磊晶区域包括第一元素及第二元素；将第二前驱物转化为第一自由基及第一离子；将第一自由基与第一离子分离；以及在磊晶区域上流动第一自由基以从磊晶区域移除至少一些第二元素。
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