发明公开
- 专利标题: 一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法
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申请号: CN202210664903.4申请日: 2022-06-13
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公开(公告)号: CN115084225A公开(公告)日: 2022-09-20
- 发明人: 聂瑞芬 , 李翠 , 刘江 , 金锐 , 王耀华 , 王鑫 , 金雨楠
- 申请人: 国网智能电网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
- 申请人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 专利权人: 国网智能电网研究院有限公司,国家电网有限公司,国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人: 国网智能电网研究院有限公司,国家电网有限公司,国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 代理机构: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 薛异荣
- 主分类号: H01L29/06
- IPC分类号: H01L29/06 ; H01L29/739 ; H01L21/331
摘要:
本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法,绝缘栅双极晶体管包括:漂移层;阱区,位于所述漂移层内,所述阱区的部分底部表面为凹陷区,所述凹陷区朝向阱区内凹进;源区,位于所述阱区内;载流子存储区,所述载流子存储区的导电类型与所述阱区的导电类型相反,所述载流子存储区的掺杂浓度大于所述漂移层的掺杂浓度,所述载流子存储区围绕所述阱区的侧面且暴露所述凹陷区,所述凹陷区与所述漂移层接触。本发明的绝缘栅双极晶体管在降低通态压降的同时提升了耐压水平。
IPC分类: