公开(公告)号：CN115084225A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210664903.4

申请日：2022-06-13

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 聂瑞芬 ,  李翠 ,  刘江 ,  金锐 ,  王耀华 ,  王鑫 ,  金雨楠

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法，绝缘栅双极晶体管包括：漂移层；阱区，位于所述漂移层内，所述阱区的部分底部表面为凹陷区，所述凹陷区朝向阱区内凹进；源区，位于所述阱区内；载流子存储区，所述载流子存储区的导电类型与所述阱区的导电类型相反，所述载流子存储区的掺杂浓度大于所述漂移层的掺杂浓度，所述载流子存储区围绕所述阱区的侧面且暴露所述凹陷区，所述凹陷区与所述漂移层接触。本发明的绝缘栅双极晶体管在降低通态压降的同时提升了耐压水平。

公开(公告)号：CN114975303A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210610621.6

申请日：2022-05-31

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 李翠 ,  聂瑞芬 ,  孙琬茹 ,  金锐 ,  王耀华 ,  高明超 ,  王鑫 ,  陈艺

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/304 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

摘要： 本发明公开了一种高压功率芯片及其制造方法、一种半导体器件及其制造方法。高压功率芯片包括：晶圆衬底；正面结构，正面结构位于晶圆衬底的一侧表面；其中正面结构包括元胞区和包围元胞区的终端区，还包括位于终端区的基本钝化保护层；补充钝化层；补充钝化层至少部分覆盖终端区背向晶圆衬底一侧表面，且至少同时覆盖终端区的侧部表面。补充钝化层还至少覆盖终端区背向晶圆衬底一侧表面与终端区的侧部表面的交界处。本发明提供的高压功率芯片耐压可靠性高。

公开(公告)号：CN116053292A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202210934974.1

申请日：2022-08-05

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 孙琬茹 ,  李翠 ,  聂瑞芬 ,  刘江 ,  王耀华 ,  金锐 ,  汪玉 ,  李宾宾

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739

摘要： 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管，包括：漂移层；阱区，位于所述漂移层内；源区，位于所述阱区内；第一绝缘介质阻挡层，所述第一绝缘介质阻挡层位于所述阱区底部的漂移层中且与所述阱区邻接；第二绝缘介质阻挡层，所述第二绝缘介质阻挡层设置于所述阱区沿沟道长度方向两侧的漂移层中，所述第二绝缘介质阻挡层至漂移层的顶面的距离大于零；第一绝缘介质阻挡层和第二绝缘介质阻挡层暴露出所述阱区的底面和所述阱区的侧壁之间的交界区。上述的绝缘栅双极晶体管在降低导通压降时，不增加绝缘栅双极晶体管的关断损耗，能很好地满足高压大功率开关的应用要求。

公开(公告)号：CN117233560A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202210649564.2

申请日：2022-06-08

申请人： 国网智能电网研究院有限公司

发明人： 李尧圣 ,  陈艳芳 ,  李金元 ,  陈中圆 ,  李翠 ,  杨晓亮

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供一种半导体器件栅偏测试装置及测试方法，半导体器件栅偏测试装置包括：加热装置，用于放置待进行半导体器件栅偏测试的半导体器件以及用于为半导体器件提供预设温度的环境；正栅压施加电路，用于为半导体器件施加正向电压；负栅压施加电路，用于为半导体器件施加负向电压；电流检测装置，用于测量在半导体器件栅偏测试的过程中半导体器件的栅极泄漏电流；测试控制端，与正栅压施加电路、负栅压施加电路和电流检测装置分别连接，并用于控制正栅压施加电路和负栅压施加电路交替工作，以及获取栅极泄漏电流。本发明在半导体器件栅偏测试的过程中实时监控并实时记录半导体器件的栅极泄漏电流，半导体器件栅偏测试装置的测试可靠性高。

公开(公告)号：CN217639376U

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202221433436.6

申请日：2022-06-08

申请人： 国网智能电网研究院有限公司

发明人： 李尧圣 ,  陈艳芳 ,  李金元 ,  陈中圆 ,  李翠 ,  杨晓亮

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本实用新型提供一种半导体器件栅偏测试装置，半导体器件栅偏测试装置包括：加热装置，用于放置待进行半导体器件栅偏测试的半导体器件以及用于为半导体器件提供预设温度的环境；正栅压施加电路，用于为半导体器件施加正向电压；负栅压施加电路，用于为半导体器件施加负向电压；电流检测装置，用于测量在半导体器件栅偏测试的过程中半导体器件的栅极泄漏电流；测试控制端，与正栅压施加电路、负栅压施加电路和电流检测装置分别连接，并用于控制正栅压施加电路和负栅压施加电路交替工作，以及获取栅极泄漏电流。本实用新型在半导体器件栅偏测试的过程中实时监控并实时记录半导体器件的栅极泄漏电流，半导体器件栅偏测试装置的测试可靠性高。

公开(公告)号：CN117714289A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311700118.0

申请日：2023-12-11

申请人： 西安交通大学 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司南京供电分公司 ,  国网福建省电力有限公司经济技术研究院

发明人： 陈晨 ,  钟剑 ,  刘权 ,  沈文韬 ,  滕孟杰 ,  别朝红 ,  马洲俊 ,  夏炳森 ,  唐元春 ,  冷正龙 ,  李翠

IPC分类号： H04L41/0893 ,  H04L41/0895 ,  H04L41/40 ,  H04L41/0897 ,  H04L9/40

摘要： 本发明公开了一种配电网通信网络切片方法、系统、芯片及设备，考虑传统通信网络架构带宽利用率低的现状，通过将多个独立业务的配电网通信网络互连为一个一体化网络从而实现通信资源共享和带宽利用率的提升；针对大量终端设备与配电网通信网络交互时手动配置的不便捷性和由此可能引发的安全隐患，通过设置认证切片层对终端设备的业务类型和接入权限进行动态管理，隔离风险设备和非法请求，实现终端设备即插即用并维护通信网络安全运作。相应的网络切片问题被表述为两阶段混合整数线性规划模型，通过求解该模型能够快速为配电网通信网络提供网络切片解决方案，从而方便通信网络的业务切片自适应动态调整和终端设备的自动动态管理。

公开(公告)号：CN117026976A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310760264.6

申请日：2023-06-26

申请人： 北京华联电力工程监理有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网冀北电力有限公司工程管理分公司

发明人： 段春明 ,  王文东 ,  贾聪彬 ,  郭良 ,  郑晓斌 ,  王广民 ,  张晓曼 ,  李乃民 ,  崔寒松 ,  陈鹏 ,  鲁兵 ,  张辰禹 ,  段正阳 ,  辛春秋 ,  马颖娜 ,  冯涌 ,  刘杰峰 ,  李靖 ,  李晨 ,  刘步存 ,  高硕 ,  谷传杰 ,  张玉 ,  李翠 ,  纪艳菊 ,  高艳凯 ,  郭志军 ,  赵博楠 ,  李志硕 ,  刘旭东 ,  王彬 ,  李建强 ,  杨阳

IPC分类号： E02D15/02

摘要： 本发明公开了一种圆规型混凝土基础倒角装置，包括圆筒模、中间杆、中间轴筒、支撑支架组件、倒角支架组件以及用于对圆形混凝土基础上圆边进行倒角的倒角刮片，所述中间轴筒的外壁上对接安装有支撑支架组件，支撑支架组件安装在圆筒模上；中间杆活动穿设在中间轴筒中，中间杆的下端固定安装有倒角支架组件，倒角支架组件的自由端安装有倒角刮片。本装置利用圆规原理，结构简单，操作方便，倒角形成的质量较高，操作连续性较好，还可进行拆卸收纳，便于重复利用。

公开(公告)号：CN116759400A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310395190.0

申请日：2023-04-13

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网湖北省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 孙琬茹 ,  聂瑞芬 ,  金锐 ,  和峰 ,  刘江 ,  李翠 ,  陈堃 ,  田宝华 ,  郝夏敏

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L21/48

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基板、焊接层、银烧结层以及功率芯片。焊接层设置在基板上，焊接层包括由上至下设置的氰化浸金层、钯镀层以及镍层；银烧结层设置在焊接层上；功率芯片设置在银烧结层上。该半导体器件能够减小器件中各互连金属构件之间的剪切应力，避免芯片脱落及产生裂纹，能够满足现有功率模块高功率密度、稳定可靠的要求。

公开(公告)号：CN116632821A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310568398.8

申请日：2023-05-18

申请人： 西安交通大学 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司南京供电分公司 ,  国网福建省电力有限公司经济技术研究院

发明人： 陈晨 ,  钟剑 ,  别朝红 ,  马洲俊 ,  夏炳森 ,  唐元春 ,  冷正龙 ,  李翠

IPC分类号： H02J3/00 ,  H02J13/00 ,  G06Q10/04 ,  G06Q50/06

摘要： 本发明公开了一种基于SDN的配电网信息物理协同恢复方法及系统，利用SDN技术获取配电网全局信息和测控装置运行状态数据，确定线路、母线和通信设备的受损情况；根据线路、母线信息，以最大负荷价值为目标，建立灾后配电网的信息—物理耦合综合优化模型，使用启发式算法对灾后配电网的信息—物理耦合综合优化模型进行求解，得到信息物理耦合的恢复策略；根据信息物理耦合的恢复策略，通过SDN技术对配电网通信网络进行恢复；根据信息物理耦合的恢复策略，控制配电网进行拓扑重构形成多个微网以恢复负荷。能够应用于配电网灾后通信路径的恢复和负荷恢复，为抢修部门提供参考建议。

公开(公告)号：CN116466203A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202210032116.8

申请日：2022-01-12

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李尧圣 ,  李金元 ,  张雷 ,  杨晓亮 ,  陈中圆 ,  陈艳芳 ,  李翠 ,  张祎慧

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R1/02

摘要： 本发明提供的一种IGBT模块的动态参数测试装置，包括电源模块、切换模块及上位机，其中，电源模块的第一端分别与第二待测器件的第一端及切换模块的第一端连接，电源模块的第二端与第一待测器件的第二端连接；切换模块的第二端与第一待测器件的第二端连接，切换模块的第三端与上位机连接，切换模块的第四端分别与第二待测器件的第二端及第一待测器件的第一端连接；上位机还分别与第一待测器件的控制端及第二待测器件的控制端连接。通过设置两条测试回路，使得两个待测器件互为陪测，当对其中一个待测器件测试结束后，通过切换模块，继续选定下一个待测器件接入测试回路进行动态参数测试，避免了人为替换测试器件，从而提高了测试效率。