公开(公告)号：CN114881989A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210565548.5

申请日：2022-05-23

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司超高压分公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 甘津瑞 ,  韩兆刚 ,  杜泽旭 ,  吴春鹏 ,  李冀 ,  王旗 ,  刘鑫 ,  常文婧 ,  王鑫 ,  金雨楠

IPC分类号： G06T7/00 ,  G06V10/764 ,  G06V10/766 ,  G06V10/774 ,  G06V10/82 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

摘要： 本申请实施例提供了一种基于小样本目标对象缺陷检测的方法、装置、电子设备，其中，该方法包括：待检测的目标对象的目标图像信息；将目标图像信息输入目标检测模型中，得到目标对象对应缺陷的检测结果，其中，目标检测模型用于对目标对象缺陷类别进行检测，目标检测模型是通过对中间检测模型的模型参数进行调整后得到的，中间检测模型是通过对初始检测模型的初始模型参数进行调整后得到的，检测结果内包含目标对象所属缺陷类别和缺陷相应的位置信息。通过本申请实施例，解决了相关技术中存在的电力器件的正负样本严重失衡，导致电力设备缺陷检测的精度较低且定位不准的问题。

公开(公告)号：CN115084225A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210664903.4

申请日：2022-06-13

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 聂瑞芬 ,  李翠 ,  刘江 ,  金锐 ,  王耀华 ,  王鑫 ,  金雨楠

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法，绝缘栅双极晶体管包括：漂移层；阱区，位于所述漂移层内，所述阱区的部分底部表面为凹陷区，所述凹陷区朝向阱区内凹进；源区，位于所述阱区内；载流子存储区，所述载流子存储区的导电类型与所述阱区的导电类型相反，所述载流子存储区的掺杂浓度大于所述漂移层的掺杂浓度，所述载流子存储区围绕所述阱区的侧面且暴露所述凹陷区，所述凹陷区与所述漂移层接触。本发明的绝缘栅双极晶体管在降低通态压降的同时提升了耐压水平。

公开(公告)号：CN114913405A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210661970.0

申请日：2022-06-13

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 吴春鹏 ,  王博 ,  刘思言 ,  王鑫 ,  汪玉

IPC分类号： G06V10/82 ,  G06V10/764 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

摘要： 本申请公开了一种深度神经网络模型的训练方法及装置。本申请实施例提供的方法首先采用样本量充足的第一类别的图像样本对初始检测模型和初始难度预测模型进行联合训练，并将训练后的初始检测模型确定为候选检测模型，将训练后的初始难度预测模型确定为候选难度预测模型。经过联合训练的候选检测模型和候选难度预测模型具备了一定的学习能力，为后续模型学习样本量稀缺的图像样本提供了基础。然后使用样本量充足的第一类别的图像样本和样本量稀缺的第二类别的图像样本对候选检测模型和候选难度预测模型进行联合训练，以使候选检测模型和候选难度模型能够快速学习样本量稀缺的图像样本的特征，以此在保证模型训练效率的同时，还提高了模型的精度。

公开(公告)号：CN114913405B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202210661970.0

申请日：2022-06-13

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 吴春鹏 ,  王博 ,  刘思言 ,  王鑫 ,  汪玉

IPC分类号： G06V10/82 ,  G06V10/764 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/084 ,  G06N3/045

摘要： 本申请公开了一种深度神经网络模型的训练方法及装置。本申请实施例提供的方法首先采用样本量充足的第一类别的图像样本对初始检测模型和初始难度预测模型进行联合训练，并将训练后的初始检测模型确定为候选检测模型，将训练后的初始难度预测模型确定为候选难度预测模型。经过联合训练的候选检测模型和候选难度预测模型具备了一定的学习能力，为后续模型学习样本量稀缺的图像样本提供了基础。然后使用样本量充足的第一类别的图像样本和样本量稀缺的第二类别的图像样本对候选检测模型和候选难度预测模型进行联合训练，以使候选检测模型和候选难度模型能够快速学习样本量稀缺的图像样本的特征，以此在保证模型训练效率的同时，还提高了模型的精度。

公开(公告)号：CN114975303A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210610621.6

申请日：2022-05-31

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 李翠 ,  聂瑞芬 ,  孙琬茹 ,  金锐 ,  王耀华 ,  高明超 ,  王鑫 ,  陈艺

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/304 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

摘要： 本发明公开了一种高压功率芯片及其制造方法、一种半导体器件及其制造方法。高压功率芯片包括：晶圆衬底；正面结构，正面结构位于晶圆衬底的一侧表面；其中正面结构包括元胞区和包围元胞区的终端区，还包括位于终端区的基本钝化保护层；补充钝化层；补充钝化层至少部分覆盖终端区背向晶圆衬底一侧表面，且至少同时覆盖终端区的侧部表面。补充钝化层还至少覆盖终端区背向晶圆衬底一侧表面与终端区的侧部表面的交界处。本发明提供的高压功率芯片耐压可靠性高。

公开(公告)号：CN113777383B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202110864221.3

申请日：2021-07-29

申请人： 江苏思源赫兹互感器有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵龙 ,  周宪林 ,  唐陈 ,  王鑫 ,  仇茹嘉 ,  王丽君 ,  翟玥 ,  张韦 ,  吴海龙 ,  张华友 ,  王宁

IPC分类号： G01R19/00 ,  G01R25/00 ,  G01R31/08

摘要： 本发明涉及一种量子电流互感器，其特征在于：包括量子传感器和量子测量模块；且量子传感器与量子测量模块之间通过光纤相连形成回路；以NV色心具有的磁测量的高灵敏度和高频率响应的特性，可以在连续波磁侧环境下进行电流的测定；高灵敏度的磁传感器可以精确测量电网中的电流信号，从而获得高精度的电流幅度、相位信息，对电网的运行管理有重要意义；其次，高频率响应范围的磁传感器可以监控电网中高频冲击信号的分布，在测量电网电流的同时监控电网的安全状态，增强电网的安全性。

公开(公告)号：CN111915451B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202010776139.0

申请日：2020-08-05

申请人： 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 ,  合肥工业大学 ,  国网安徽省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 仇茹嘉 ,  韩平平 ,  潘丽珠 ,  程石 ,  黄道友 ,  张征凯 ,  康健 ,  高博 ,  郑国强 ,  张旭 ,  潘薇 ,  张楠 ,  张秀路 ,  曲洪刚 ,  赵龙 ,  王鑫 ,  黎彬

IPC分类号： G06Q50/06 ,  G06F17/16 ,  G06F18/23213 ,  G06F18/241 ,  G06N3/006

摘要： 本发明提供一种台区日功率曲线计算方法，该台区日功率曲线计算方法包括：获取台区所有用户的用电参数，生成用电参数矩阵；对所述用电参数矩阵进行分类处理，获得预设分类数目的用户群；求解出每类用户群的日负荷标准曲线；利用用户的日电量和所述用户相应的日负荷标准曲线，获得所述用户的日功率曲线。本发明的台区日功率曲线计算方法，通过计算出台区中各用户的日功率曲线，以便用于观察分析用户用电是否存在异常，并且还可以用来高精度还原该台区中各时刻点潮流分布以及潮流变化，便于对台区中设备的检修。

公开(公告)号：CN113514785B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202110434978.9

申请日：2021-04-22

申请人： 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 ,  安徽省国盛量子科技有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵龙 ,  赵博文 ,  王鑫 ,  仇茹嘉 ,  杨海涛 ,  谢佳 ,  柯艳国 ,  高博 ,  汪玉 ,  王丽君 ,  陈凡 ,  李圆智 ,  陈嘉 ,  周梦良

IPC分类号： G01R33/02

摘要： 一种基于固态量子自旋的电磁场测量三维成像装置。本发明在三维成像装置的支撑机构的外侧设置有检测机构，被检测产品放置在支撑机构上端的支撑板上；检测机构包括安装有探测头的绝缘杆；三维成像装置还包括驱动检测机构水平移动的水平移动机构，驱动检测机构上下移动的垂直移动机构，驱动检测机构围绕支撑机构做360°移动的旋转移动机构，以及与检测机构连接的机架。其有益效果是，结构设计合理，采用NV色心量子传感器探测头，通过操控水平移动机构、垂直移动机构、旋转移动机构实现探测头对被检测设备进行360°的高精度扫描，实现无接触完成被检测产品的电场、磁场检测。

公开(公告)号：CN117080267A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311120002.X

申请日：2023-08-31

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 牛喜平 ,  桑玲 ,  罗伟霞 ,  张文婷 ,  田琰 ,  李晨萌 ,  金锐 ,  王鑫 ,  李宾宾

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

摘要： 本公开提供一种集成混合式PiN‑肖特基二极管的碳化硅MOSFET，可通过调节p+区域的宽度，自芯片边缘至芯片中央呈递增的非均匀分布规律，降低芯片中央区域较高的结温，使芯片的温度分布较为均匀；同时通过集成混合PiN‑肖特基二极管增强体二极管的导通性能和抗浪涌电流能力，避免外接续流二极管，从而降低电路设计复杂度和系统成本，提高SiC MOSFET可靠性。

公开(公告)号：CN115832052A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211475391.3

申请日：2022-11-23

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 安运来 ,  杨霏 ,  魏晓光 ,  桑玲 ,  张文婷 ,  牛喜平 ,  刘瑞 ,  杜泽晨 ,  李晨萌 ,  王鑫 ,  张淑娟

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种胞内集成二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，该器件包括：碳化硅MOSFET器件以及漂移层远离衬底的表面设置的平滑的刻蚀凹槽，凹槽内部填充有肖特基接触金属，刻蚀凹槽的侧壁设有离子注入区，离子注入区顶部填充欧姆接触金属。通过实施本发明，在元胞内形成结势垒肖特基二极管，节约了芯片面积，显著改善器件第三象限特性，实现了低第三象限开启电压，避免了双极退化效应的发生；平滑的刻蚀凹槽结构可以避免电场集中，离子注入能够避免栅极击穿，同时在不改变电流通路的情况下，实现了通过结势垒肖特基二极管结构对裂栅的包裹和保护，降低了栅氧化层电场，增强了器件的可靠性。