本发明提供的一种基于六方氮化硼的氮化镓外延层生长与剥离方法，利用有机溶剂较强的表面张力，借助超声条件破坏六方氮化硼层与层之间的范德华力，再采用胶带机械剥离而达到剥离氮化镓的目的。相较于现有技术采用激光剥离、化学剥离和磨削衬底等方式，本发明不需要特别的实验设备和化学处理，简单易行，成本低，耗时短，减少剥离过程对外延层薄膜的损伤，且衬底可以多次循环利用。本发明可以应用于半导体器件剥离转移，能够解除衬底限制，进一步提高器件的性能和可靠性；并且在外延氮化镓之前，通过高温热退火过程提高氮化铝层的结晶质量，后续可以获得高质量的氮化镓薄膜。