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公开(公告)号：CN101847168A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010144088.6
申请日：2010-04-09
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 贲发明公开了一种基于规则拓扑库的可定制片上网络设计方法，主要解决高性能拓扑结构快速自动生成的问题。其方案是：针对目标应用的特性，首先输入应用图和IP核配置文件，分析得到应用的性能要求和优化目标函数；再利用价值函数分析所得性能参数要求生成网络拓扑结构，包括结合AO*算法和深度优先搜索初步建立拓扑；之后根据IP核与核之间的通信要求优化网络结构；最后根据生成的层次拓扑的特点，设计免死锁和有效的路由，建立通信网络。本方法具有性能高、可扩展性强、设计复杂度小，且能够满足不同的目标应用性能要求和限制生成拓扑结构，自动生成高性能片上网络结构的优点，可用于多内核芯片版图布局和优化。
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公开(公告)号：CN114990698B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202210577172.X
申请日：2022-05-25
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种大面积均匀单层二硫化钨及制备方法、光电子元件，制备方法包括：利用水溶液，配置水溶性钨酸铵前驱体；利用紫外臭氧清洗仪，对衬底进行预处理；利用旋涂法，将水溶性钨酸铵前驱体旋涂于预处理后的衬底表面；利用CVD设备，以硫粉作为硫源，在旋涂后的衬底表面形成大面积且均匀的单层二硫化钨。本发明可以制备得到大面积均匀的单层二硫化钨。
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公开(公告)号：CN115058699A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210530739.8
申请日：2022-05-16
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于化学气相沉积的单层二硫化钼及其制备方法，所述制备方法包括：选取衬底；称取适量MoO3粉末装入一端开口的石英套管中；将衬底和装有MoO3粉末的石英套管放置在管式炉，衬底垂直放置在石英套管开口一侧，开口朝向衬底表面；称取适量的硫粉放置在管式炉的进气端一侧，且与MoO3粉末间隔适当距离；将MoO3粉末加热以使MoO3粉末蒸发；移动硫粉至靠近管式炉的中部，以使硫粉蒸发并与MoO3粉蒸汽发生反应；保温预定时间，以在衬底表面沉积大面积单层MoS2。本发明使用一端开口的石英套管装盛MoO3粉末，同时将生长衬底与气流方向垂直放置以减少衬底表面的浓度梯度，实现了厘米级单层二硫化钼的生长。
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公开(公告)号：CN115132569A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210537031.5
申请日：2022-05-17
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明提供的一种基于六方氮化硼的氮化镓外延层生长与剥离方法，利用有机溶剂较强的表面张力，借助超声条件破坏六方氮化硼层与层之间的范德华力，再采用胶带机械剥离而达到剥离氮化镓的目的。相较于现有技术采用激光剥离、化学剥离和磨削衬底等方式，本发明不需要特别的实验设备和化学处理，简单易行，成本低，耗时短，减少剥离过程对外延层薄膜的损伤，且衬底可以多次循环利用。本发明可以应用于半导体器件剥离转移，能够解除衬底限制，进一步提高器件的性能和可靠性；并且在外延氮化镓之前，通过高温热退火过程提高氮化铝层的结晶质量，后续可以获得高质量的氮化镓薄膜。
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公开(公告)号：CN114990698A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210577172.X
申请日：2022-05-25
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种大面积均匀单层二硫化钨及制备方法、光电子元件，制备方法包括：利用水溶液，配置水溶性钨酸铵前驱体；利用紫外臭氧清洗仪，对衬底进行预处理；利用旋涂法，将水溶性钨酸铵前驱体旋涂于预处理后的衬底表面；利用CVD设备，以硫粉作为硫源，在旋涂后的衬底表面形成大面积且均匀的单层二硫化钨。本发明可以制备得到大面积均匀的单层二硫化钨。
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公开(公告)号：CN101847168B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201010144088.6
申请日：2010-04-09
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种基于规则拓扑库的可定制片上网络设计方法，主要解决高性能拓扑结构快速自动生成的问题。其方案是：针对目标应用的特性，首先输入应用图和IP核配置文件，分析得到应用的性能要求和优化目标函数；再利用价值函数分析所得性能参数要求生成网络拓扑结构，包括结合AO*算法和深度优先搜索初步建立拓扑；之后根据IP核与核之间的通信要求优化网络结构；最后根据生成的层次拓扑的特点，设计免死锁和有效的路由，建立通信网络。本方法具有性能高、可扩展性强、设计复杂度小，且能够满足不同的目标应用性能要求和限制生成拓扑结构，自动生成高性能片上网络结构的优点，可用于多内核芯片版图布局和优化。
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公开(公告)号：CN113548692A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110806520.1
申请日：2021-07-16
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于聚乙烯醇的二维过渡金属硫族化合物的转移和同/异质结制作方法，所述转移方法利用生长衬底和二维过渡金属硫族化合物对水分子的亲和力不同，使得聚乙烯醇水溶液滴在生长衬底表面时水分子能够渗透进生长衬底与二维过渡金属硫族化合物间，降低生长衬底与二维过渡金属硫族化合物间的作用力，再利用聚乙烯醇成膜时形成的粘合力转移二维过渡金属硫族化合物。该方法适用于任何需要二维材料转移的操作，适用性好，具有快速省时、操作简单和转移范围大、效果好的优点，转移过程对生长衬底和目标衬底都没有损伤，仅引入去离子水，对样品的污染十分小，有利于保持样品的干净度。同时利用该转移方法可实现同质结和异质结的制作。
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