发明公开
- 专利标题： 半导体结构及半导体结构的形成方法
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申请号： CN202110432146.3申请日： 2021-04-21
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公开(公告)号： CN115224048A公开(公告)日： 2022-10-21
- 发明人: 惠海霞 , 陈晓军 , 方文斌 , 黄烁 , 吴家亨
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号;
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号;
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 徐文欣
- 主分类号： H01L27/12
- IPC分类号： H01L27/12 ; H01L21/762
摘要：
一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括第一基底、第二基底以及位于第一基底和第二基底之间的绝缘层，所述衬底第一面为所述第一基底暴露出的表面，所述衬底第二面为所述第二基底暴露出的表面；在衬底侧壁表面形成导电层；形成导电层之后，对所述衬底第一面进行离子注入。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
IPC分类:
