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公开(公告)号：CN106558508B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201510616402.9
申请日：2015-09-24
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 一种侦测金属离子沾污的方法，包括：提供待测的沉积腔室和晶圆；利用所述待测的沉积腔室在晶圆表面形成检测层；在所述检测层表面形成籽晶层；形成位于所述籽晶层表面的半导体层；观察形成半导体层后的晶圆的晶向组织，当所述晶向组织中存在尖角状或圆棍状时，则待测的沉积腔室受到金属离子沾污。对金属离子进行侦测得到的结果更为快速准确，后续形成的半导体器件的性能优越。
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公开(公告)号：CN115224048A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110432146.3
申请日：2021-04-21
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/762
摘要： 一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括第一基底、第二基底以及位于第一基底和第二基底之间的绝缘层，所述衬底第一面为所述第一基底暴露出的表面，所述衬底第二面为所述第二基底暴露出的表面；在衬底侧壁表面形成导电层；形成导电层之后，对所述衬底第一面进行离子注入。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
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公开(公告)号：CN115188665A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110356312.6
申请日：2021-04-01
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；形成位于所述介质层内的第一开口、位于介质层内的第二开口、以及位于衬底内的初始第三开口，所述第二开口位于第一开口底部且与第一开口连通，所述第二开口侧壁相对于第一开口侧壁凹陷，所述第二开口侧壁相对于初始第三开口侧壁凹陷，且所述第二开口底部暴露出所述衬底部分顶部表面；对所述初始第三开口内壁和所述第二开口底部暴露出的衬底顶部表面进行刻蚀，在所述衬底内形成第三开口；在所述第三开口、所述第二开口和所述第一开口内形成外延层，避免了仅对所述初始第三开口侧壁的衬底刻蚀而造成的“咬边”缺陷，进而提高所形成的器件的性能。
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公开(公告)号：CN109987568A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711473501.1
申请日：2017-12-29
摘要： 本申请公开了一种薄膜结构的形成方法、声电换能器件及其形成方法，本发明实施例通过沉积多个多晶硅层来形成所述薄膜结构，并分别调节每个多晶硅层应力，由此，可以扩大薄膜结构应力调节的范围，获得期望的应力参数。根据本发明实施例的薄膜形成方法制备的声电换能器件的振膜，可以具有较好的应力参数，从而具有更好的性能。
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公开(公告)号：CN115478260A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110605420.2
申请日：2021-05-31
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/34 , C23C16/458 , C23C16/52
摘要： 一种低压化学气相淀积工艺沉积薄膜的方法，包括：将装载有若干晶圆的晶舟移入反应腔内，各晶圆包括中部区和围绕所述中部区的边缘区；在晶舟移入反应腔内之后，重复若干次沉积处理，直至在各晶圆表面形成材料膜，所述沉积处理的方法包括：第一阶段处理，将反应腔内的反应气体抽出之后，使反应腔内的温度达到第一设定值；在所述第一阶段处理之后进行第二阶段处理，向若干晶圆通入反应气体之后，将反应腔内的温度以预设降温速率降低至第二设定值，所述第二设定值低于第一设定值，使晶圆边缘区材料膜的生长速率低于中部区材料膜的生长速率，平衡了反应腔内因反应气体浓度分布带来的边缘区膜厚高于中部区膜厚的问题，提高了所形成的薄膜的厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN111918190A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910387028.8
申请日：2019-05-10
摘要： 本发明提供了一种MEMS麦克风及其制备方法、电子装置。所述方法包括：形成振膜材料层；对所述振膜材料层进行第一次离子注入，以在所述振膜材料层的底部形成第一注入区域；对所述振膜材料层进行第二次离子注入，以在所述振膜材料层中所述第一注入区域的上方形成第二注入区域；执行退火步骤，以形成振膜层。本发明中对所述振膜材料层分别进行注入能量不同的离子并执行退火步骤，通过多层离子注入在振膜材料层内，再通过振膜材料层不同区域的离子浓度的组合来调节振膜材料层的应力，以达到理想的应力效果。
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公开(公告)号：CN118778186A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310354879.9
申请日：2023-04-04
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有介电层以及掩埋于所述介电层中的光波导层；在所述衬底中形成位于所述光波导层底部的光耦合调节介质，所述光耦合调节介质的折射率低于衬底的折射率以及介电层的折射率。本发明在光波导层底部形成光耦合调节介质，由于光耦合调节介质的折射率低于衬底的折射率以及介电层的折射率，因此光耦合调节介质有利于减少光在传播过程经衬底的耦合，相应地有利于降低光在波导传播过程中的损耗，从而提高光的耦合效率，进而提高半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN118778291A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310354874.6
申请日：2023-04-04
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G02F1/01
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有波导层；在所述衬底上形成覆盖所述波导层的介电层、以及掩埋于所述介电层中的加热器件，所述加热器件位于所述波导层的顶部上方；在所述衬底中形成位于所述波导层底部的防热扩散介质，所述防热扩散介质的导热率低于衬底的导热率。本发明在加热器件底部形成防热扩散介质，由于防热扩散介质的导热率低于衬底的导热率，因此防热扩散介质有利于抑制加热器所产生热量的扩散，相应有利于降低加热器所产生的热量经衬底耗散的概率，从而提高了加热器的发热效率，使得所述加热器能够更好地对波导层加热，进而降低了半导体结构的功耗。
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公开(公告)号：CN118472096A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310100381.X
申请日：2023-02-07
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/101
摘要： 本发明实施例提供一种半导体器件及其生成方法，其中，所述方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的鳍部以及位于所述鳍部上的氧化层；在预设温度下，利用清洁气体清洁部分所述氧化层以及在所述衬底与所述鳍部连接的侧壁上生成硅沉积；停止施加所述预设温度，得到半导体器件。本发明实施例所提供的技术方案，通过在半导体器件的制造工艺中增加清洁气体，以使清洁气体清洁部分氧化层的同时可以在衬底上生成硅沉积，减小半导体器件制造工艺中产生的锗咬边，从而提升半导体器件的性能。
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