发明公开
CN115249625A 干蚀刻装置
审中-实审
- 专利标题: 干蚀刻装置
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申请号: CN202210261055.2申请日: 2022-03-16
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公开(公告)号: CN115249625A公开(公告)日: 2022-10-28
- 发明人: 堤贤吾 , 小野洋平 , 邻嘉津彦 , 田代征仁
- 申请人: 株式会社爱发科
- 申请人地址: 日本神奈川县茅崎市荻园2500
- 专利权人: 株式会社爱发科
- 当前专利权人: 株式会社爱发科
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县茅崎市荻园2500
- 代理机构: 北京英特普罗知识产权代理有限公司
- 代理商 齐永红; 秦岩
- 优先权: 2021-075800 20210428 JP
- 主分类号: H01L21/67
- IPC分类号: H01L21/67 ; H01J37/32
摘要:
本发明提供一种无须变更喷淋板,不改变激发后的蚀刻气体的生成条件,就能调节蚀刻对象物表面上的激发后的蚀刻气体的浓度分布的干蚀刻装置(EM)。其具备:第一喷淋板(4),其在真空室(1)内与蚀刻对象物(Sw)相向配置,设置有多个第一喷出口(4a);气体供给装置(5、6),其向与真空室内隔绝、并与第一喷淋板的各第一喷出口接续的空间(Sp)中供给激发了的蚀刻气体。上述空间(Sp)被划分成多个,在这些划分出的各空间(S1、S2)中还设置有可导入进行了流量控制的惰性气体的惰性气体导入装置(51、52、71、72、71a、72a),通过按空间导入的惰性气体的流量控制,自由调节向各空间导入的蚀刻气体的分配比例。
IPC分类: