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公开(公告)号：CN107002229A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065926.1
申请日：2015-06-16
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/081 , H01J37/3491
摘要： 本发明提供一种靶组件，其可抑制背板的延伸部分和靶侧面之间发生异常放电，同时能可靠地防止接合靶和背板的粘接材料向外部渗出，并且背板很容易再利用。具有绝缘材料靶(21)和通过粘接材料接合在该靶的一面上的背板(22)，且背板具有比靶的外周边更向外延伸的延伸部分(22a)的本发明的靶组件(2)，其特征在于：还具有与靶侧面之间留出规定的间隙而围绕在靶周围，覆盖延伸部分的靶侧的面并在背板上装卸自如的环形绝缘板(23)。
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公开(公告)号：CN114729443A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080082895.1
申请日：2020-07-09
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/06 , H01L21/31 , H01L21/318 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种成膜方法，当通过靶的溅射形成电介质膜时，该方法可不损害有效抑制诱发异常放电这一功能地尽量减少刚成膜后的被处理基板表面上附着的粒子的数量。在真空室(1)内对靶(2)进行溅射并在被处理基板(Sw)的表面上形成电介质膜的本发明的成膜方法，其在靶的溅射时，对靶以脉冲状施加负电位，将脉冲状施加负电位时的频率设置在100kHz以上150kHz以下的范围内，将负电位的施加时间(Ton)设置在长于5μsec且短于8μsec的范围内。
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公开(公告)号：CN116137226A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211414042.0
申请日：2022-11-11
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/67
摘要： 本发明提供能够抑制基板间的蚀刻量的分布的蚀刻方法和蚀刻装置。收纳在真空槽中的多个基板分别具备第1处理对象和第2处理对象。第1处理对象为硅氧化物层(53)，第2处理对象为硅氮化物层(51)或者被硅氧化物层(53)覆盖的硅层(52)。蚀刻方法包括下述工序：第1工序，将NH3气体和HF气体导入至真空槽，由此对第1处理对象进行蚀刻；以及第2工序，在第1工序后，将由包含NH3气体的气体生成的等离子体和NF3气体供给至真空槽，由此对第2处理对象进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN107002229B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201580065926.1
申请日：2015-06-16
申请人： 株式会社爱发科
摘要： 本发明提供一种靶组件，其可抑制背板的延伸部分和靶侧面之间发生异常放电，同时能可靠地防止接合靶和背板的粘接材料向外部渗出，并且背板很容易再利用。具有绝缘材料靶(21)和通过粘接材料接合在该靶的一面上的背板(22)，且背板具有比靶的外周边更向外延伸的延伸部分(22a)的本发明的靶组件(2)，其特征在于：还具有与靶侧面之间留出规定的间隙而围绕在靶周围，覆盖延伸部分的靶侧的面并在背板上装卸自如的环形绝缘板(23)。
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公开(公告)号：CN1977363A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200580021978.5
申请日：2005-06-28
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67748 , C23C14/566 , H01L21/3065 , H01L21/6719 , H01L21/67751
摘要： 本发明提供一种处理室的更换容易的真空处理装置，本发明的真空处理装置(1)具有处理室(20)和输出输入室(10)。输出输入室(10)固定在处理室(20)的上方位置。另一方面，处理室(20)可通过升降机构(50)下降，所以若使处理室(20)下降，则处理室(20)从输出输入室(10)分离。此外，在处理室(20)上连接有搬运机构(30)，所以在从输出输入室(10)拆下处理室(20)后，也容易搬运处理室(20)。这样，根据本发明，与以往相比更换处理室(20)的操作变得简单容易。
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公开(公告)号：CN115249625A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210261055.2
申请日：2022-03-16
申请人： 株式会社爱发科
摘要： 本发明提供一种无须变更喷淋板，不改变激发后的蚀刻气体的生成条件，就能调节蚀刻对象物表面上的激发后的蚀刻气体的浓度分布的干蚀刻装置(EM)。其具备：第一喷淋板(4)，其在真空室(1)内与蚀刻对象物(Sw)相向配置，设置有多个第一喷出口(4a)；气体供给装置(5、6)，其向与真空室内隔绝、并与第一喷淋板的各第一喷出口接续的空间(Sp)中供给激发了的蚀刻气体。上述空间(Sp)被划分成多个，在这些划分出的各空间(S1、S2)中还设置有可导入进行了流量控制的惰性气体的惰性气体导入装置(51、52、71、72、71a、72a)，通过按空间导入的惰性气体的流量控制，自由调节向各空间导入的蚀刻气体的分配比例。
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公开(公告)号：CN100492599C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200580021978.5
申请日：2005-06-28
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67748 , C23C14/566 , H01L21/3065 , H01L21/6719 , H01L21/67751
摘要： 本发明提供一种处理室的更换容易的真空处理装置，本发明的真空处理装置(1)具有处理室(20)和输出输入室(10)。输出输入室(10)固定在处理室(20)的上方位置。另一方面，处理室(20)可通过升降机构(50)下降，所以若使处理室(20)下降，则处理室(20)从输出输入室(10)分离。此外，在处理室(20)上连接有搬运机构(30)，所以在从输出输入室(10)拆下处理室(20)后，也容易搬运处理室(20)。这样，根据本发明，与以往相比更换处理室(20)的操作变得简单容易。
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