本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底包含分立的多条位线结构；在基底上形成分立的多个第一有源区，每条位线结构与至少两个第一有源区电连接；对第一有源区进行第一外延生长工艺，形成位于第一有源区上方的第二有源区，第二有源区的掺杂离子类型与第一有源区的掺杂离子类型不同；形成栅极结构和多条连接结构，栅极结构覆盖第二有源区侧壁，每一条连接结构电连接至少两个栅极结构的栅极，连接结构与电连接的栅极构成字线；在第二有源区上形成第三有源区，第三有源区的掺杂离子类型与第一有源区的掺杂离子类型相同。本发明实施例有利于提高半导体结构的电学性能。