发明公开
- 专利标题: 一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法
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申请号: CN202210930622.9申请日: 2022-08-04
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公开(公告)号: CN115287759A公开(公告)日: 2022-11-04
- 发明人: 刘庆元 , 帅世荣 , 魏占涛 , 李阳 , 李俊 , 游斌 , 陈运茂 , 陈敏 , 肖礼康 , 蓝江河
- 申请人: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
- 申请人地址: 四川省绵阳市滨河北路西段268号
- 专利权人: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
- 当前专利权人: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
- 当前专利权人地址: 四川省绵阳市滨河北路西段268号
- 代理机构: 绵阳市博图知识产权代理事务所
- 代理商 杨金涛
- 主分类号: C30B29/22
- IPC分类号: C30B29/22 ; C30B9/12
摘要:
本发明公开了一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法,属于铁氧体单晶材料技术领域,本发明的方法为采用PbO‑PbF2‑B2O3助熔剂体系生长尖晶石Ni0.6Zn0.4Fe2O4单晶,该方法有效降低了Ni0.6Zn0.4Fe2O4的熔点,避免了晶体中出现包裹物等杂质缺陷,提升了结晶质量与晶体完整性,使晶体尺寸从毫米量级增大到厘米量级;本方法制备出的大尺寸Ni0.6Zn0.4Fe2O4单晶大尺寸,缺陷少,结晶质量高,能有效地应用于微波器件。
公开/授权文献
- CN115287759B 一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法 公开/授权日:2024-01-16
IPC分类: