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公开(公告)号：CN117684256A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311462748.9
申请日：2023-11-06
摘要： 本发明公开了一种解决异质外延法制备铁氧体单晶膜材料开裂问题的方法，属于铁氧体单晶膜材料生长技术领域，制备时采用表面为向外突出的曲面的衬底，所述曲面顶点到水平面的高度为d，0.05≤d≤0.15mm，曲率半径R为540mm～6460mm；本发明将衬底磨抛成特定的曲面，再使用该衬底进行液相外延，从而能够有效改善因单晶膜与衬底间的热膨胀系数不同造成的外延生长开裂问题，并且本发明提供的方法技术难度小，生长出的单晶膜完整性高。
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公开(公告)号：CN117664521A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311519376.9
申请日：2023-11-15
摘要： 本发明公开了一种法拉第旋光片旋转角测试设备，属于旋光片测试领域，包括沿光路依次设置的准直器（1）、电磁铁A（2）、样品测试腔体（3）、电磁铁B（4）和偏振器（5），所述电磁铁A（2）、电磁铁B（4）的磁头中心位置分别设置有通孔，所述准直器（1）的光通路中轴线、通孔中轴线、样品测试腔体（3）中轴线及偏振器（5）通光中轴线重合；所述样品测试腔体（3）内设置有控温系统；本发明可通过固定光路保证测试不受光源影响，实现不同波段样品测试，通过控温系统对样品进行变温测试，实现不同温度下法拉第旋转角的测试；通过伺服单元控制样品测试腔体位置，实现样品法拉第旋转率分布状态测试，提高产品检测工程化能力。
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公开(公告)号：CN117328143A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311215577.X
申请日：2023-09-20
摘要： 本发明公开了一种中饱和磁化强度Ge掺杂BiCaV铁氧体单晶材料的生长方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，所述方法为通过Ge4+离子掺杂并采用PbO助熔剂生长石榴石Bi3‑2x‑yCa2x+yVxFe5‑x‑yGeyO12单晶，本发明制备的Ge：BiCaV铁氧体单晶材料饱和磁化强度可达800~1000 Gs，属于中饱和磁化强度范围，且元素掺杂浓度分布均匀性良好，饱和磁化强度一致性高，铁磁共振线宽小于0.9Oe，可应用于S‑C波段微波铁氧体器件中。
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公开(公告)号：CN115094511A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210616486.6
申请日：2022-06-01
摘要： 本发明公开了一种同质外延生长石榴石型铁氧体单晶厚膜的方法，属于铁氧体单晶薄膜材料技术领域，本发明的方法为采用熔盐法制备石榴石同质衬底，并以此衬底进行液相外延，避免了异质衬底与膜之间的物理性能差异，有效减小了膜的内应力，降低膜的缺陷密度，提高成膜质量；本方法制备出的单晶厚膜与衬底间的内应力小，膜表面平整，缺陷少，结晶质量高，能有效的应用于微波器件或磁光器件。
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公开(公告)号：CN114737248A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210282043.8
申请日：2022-03-22
摘要： 本发明公开了一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法，属于磁性功能材料技术领域，该方法包括：以GGG或SGGG为衬底，采用液相外延法制备百微米级铁氧体单晶厚膜，在惰性气体、氧气混合气氛下进行阶梯式升降温退火处理，再经酸煮、清洗得到表面光滑平整的铁氧体单晶厚膜；经本发明退火处理的单晶厚膜厚，介电损耗、铁磁共振线宽、光损耗降低，累积应力得以释放，使单晶膜质量得以显著提升。
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公开(公告)号：CN117661118A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311537523.5
申请日：2023-11-17
摘要： 本发明公开了一种高磁晶各向异性的Al：YIG单晶材料及其制备方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，本发明的制备方法为采用PbO‑PbF2‑B2O3助熔剂体系生长石榴石Y3Fe5‑xAlxO12单晶，该方法制备的Y3Fe5‑xAlxO12铁氧体单晶材料磁晶各向异性明显高于Ga掺杂YIG单晶材料，可达100 Oe以上，且元素掺杂浓度分布均匀性良好，饱和磁化强度一致性高，可应用于永磁偏置型小型化宽带滤波器中。
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公开(公告)号：CN115161776B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210616876.3
申请日：2022-06-01
摘要： 本发明公开了一种激光诱导化学气相刻蚀YIG薄膜的方法，该方法包括：在YIG膜基片上依次镀铜膜、金膜作为掩膜层，旋涂光刻胶后进行曝光、显影得到预刻图案，再使用激光诱导HCl、HF、Ar混合气体化学腐蚀YIG膜刻蚀窗口，最后依次剥离光刻胶、铜膜、金膜，得到具有预设图形的YIG膜；本发明通过使用铜膜、金膜作为掩膜层，将激光物理刻蚀和HCl、HF混合气体化学刻蚀有机结合进行干法刻蚀YIG膜，有效保护了非刻蚀窗口区，提高了刻蚀精度及速度。
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公开(公告)号：CN115792752A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211258447.X
申请日：2022-10-14
摘要： 本发明公开了一种磁调谐滤波器用单晶谐振子铁磁共振线宽快速筛选装置，属于微波元器件测试领域，所述测试装置包括谐振器（1）、谐振子（2）、可调直流电源（3）和矢量网络分析仪（4）；其中，所述定向后的谐振子（2）置于谐振器（1）中，所述谐振器（1）分别通过数据线与矢量网络分析仪（4）和可调直流电源（3）连接，本发明还公开了采用上述装置进行磁调谐滤波器用单晶谐振子铁磁共振线宽快速筛选的方法；本发明发明的筛选装置可实现30秒内完成一只样品的筛选，测试准确性良好，能够满足批量化产品筛选测试的需求，有利于提高磁调谐滤波器的调测效率，降低生产成本，具有很强的实用价值。
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公开(公告)号：CN115161776A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210616876.3
申请日：2022-06-01
摘要： 本发明公开了一种激光诱导化学气相刻蚀YIG薄膜的方法，该方法包括：在YIG膜基片上依次镀铜膜、金膜作为掩膜层，旋涂光刻胶后进行曝光、显影得到预刻图案，再使用激光诱导HCl、HF、Ar混合气体化学腐蚀YIG膜刻蚀窗口，最后依次剥离光刻胶、铜膜、金膜，得到具有预设图形的YIG膜；本发明通过使用铜膜、金膜作为掩膜层，将激光物理刻蚀和HCl、HF混合气体化学刻蚀有机结合进行干法刻蚀YIG膜，有效保护了非刻蚀窗口区，提高了刻蚀精度及速度。
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公开(公告)号：CN117661119A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311632214.6
申请日：2023-12-01
摘要： 本发明公开了一种减小YIG单晶薄膜线宽用GGG基片的处理方法，属于微波铁氧体单晶薄膜制备领域，本发明通过热的偏磷酸进行二次抛光处理，工艺过程可控，易操作效率高，适用于批量制作；另外该方法可实现在保证GGG基片表面平整度同时，能有效均匀去除GGG基片表面加工损伤层，腐蚀去除厚度可到达μm级，消除基片加工缺陷对外延生长的YIG单晶薄膜品质的影响，外延生长的YIG单晶薄膜的铁磁共振线宽减小约30%，显著提升材料的微波性能。
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