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公开(公告)号：CN117806061A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410115354.4
申请日：2024-01-29
IPC分类号： G02F1/09
摘要： 本发明公开了一种法拉第旋光器结构，属于激光光学无源器件技术领域，包括磁路（1），所述磁路（1）内的中心位置设置有环形旋光介质（3）或板条状旋光介质（4）或圆盘状旋光介质（5），本发明还公开了上述旋光器的应用，本发明根据激光光斑的大小和功率的控制要求，旋光介质采用环形结构以匹配环形激光光束整形器，相较于传统的圆形旋光介质，根据有效通光口径等效法，可增大旋光介质与空气的接触面积，提升散热效率，可降低热效应的不利影响，能承受高功率激光器连续工作条件，对于改善激光光斑质量具有明显的实用价值。
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公开(公告)号：CN117661119A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311632214.6
申请日：2023-12-01
摘要： 本发明公开了一种减小YIG单晶薄膜线宽用GGG基片的处理方法，属于微波铁氧体单晶薄膜制备领域，本发明通过热的偏磷酸进行二次抛光处理，工艺过程可控，易操作效率高，适用于批量制作；另外该方法可实现在保证GGG基片表面平整度同时，能有效均匀去除GGG基片表面加工损伤层，腐蚀去除厚度可到达μm级，消除基片加工缺陷对外延生长的YIG单晶薄膜品质的影响，外延生长的YIG单晶薄膜的铁磁共振线宽减小约30%，显著提升材料的微波性能。
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公开(公告)号：CN115161776B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210616876.3
申请日：2022-06-01
摘要： 本发明公开了一种激光诱导化学气相刻蚀YIG薄膜的方法，该方法包括：在YIG膜基片上依次镀铜膜、金膜作为掩膜层，旋涂光刻胶后进行曝光、显影得到预刻图案，再使用激光诱导HCl、HF、Ar混合气体化学腐蚀YIG膜刻蚀窗口，最后依次剥离光刻胶、铜膜、金膜，得到具有预设图形的YIG膜；本发明通过使用铜膜、金膜作为掩膜层，将激光物理刻蚀和HCl、HF混合气体化学刻蚀有机结合进行干法刻蚀YIG膜，有效保护了非刻蚀窗口区，提高了刻蚀精度及速度。
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公开(公告)号：CN115792752A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211258447.X
申请日：2022-10-14
摘要： 本发明公开了一种磁调谐滤波器用单晶谐振子铁磁共振线宽快速筛选装置，属于微波元器件测试领域，所述测试装置包括谐振器（1）、谐振子（2）、可调直流电源（3）和矢量网络分析仪（4）；其中，所述定向后的谐振子（2）置于谐振器（1）中，所述谐振器（1）分别通过数据线与矢量网络分析仪（4）和可调直流电源（3）连接，本发明还公开了采用上述装置进行磁调谐滤波器用单晶谐振子铁磁共振线宽快速筛选的方法；本发明发明的筛选装置可实现30秒内完成一只样品的筛选，测试准确性良好，能够满足批量化产品筛选测试的需求，有利于提高磁调谐滤波器的调测效率，降低生产成本，具有很强的实用价值。
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公开(公告)号：CN115161776A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210616876.3
申请日：2022-06-01
摘要： 本发明公开了一种激光诱导化学气相刻蚀YIG薄膜的方法，该方法包括：在YIG膜基片上依次镀铜膜、金膜作为掩膜层，旋涂光刻胶后进行曝光、显影得到预刻图案，再使用激光诱导HCl、HF、Ar混合气体化学腐蚀YIG膜刻蚀窗口，最后依次剥离光刻胶、铜膜、金膜，得到具有预设图形的YIG膜；本发明通过使用铜膜、金膜作为掩膜层，将激光物理刻蚀和HCl、HF混合气体化学刻蚀有机结合进行干法刻蚀YIG膜，有效保护了非刻蚀窗口区，提高了刻蚀精度及速度。
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公开(公告)号：CN115287759A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210930622.9
申请日：2022-08-04
摘要： 本发明公开了一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，本发明的方法为采用PbO‑PbF2‑B2O3助熔剂体系生长尖晶石Ni0.6Zn0.4Fe2O4单晶，该方法有效降低了Ni0.6Zn0.4Fe2O4的熔点，避免了晶体中出现包裹物等杂质缺陷，提升了结晶质量与晶体完整性，使晶体尺寸从毫米量级增大到厘米量级；本方法制备出的大尺寸Ni0.6Zn0.4Fe2O4单晶大尺寸，缺陷少，结晶质量高，能有效地应用于微波器件。
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公开(公告)号：CN118295159B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410721962.X
申请日：2024-06-05
IPC分类号： G02F1/09
摘要： 本发明公开了一种无胶化法拉第旋光器，属于激光光学无源器件技术领域，包括扇形磁瓦组和用于固定所述扇形磁瓦组的扇形磁瓦固定装置，在所述扇形磁瓦中心位置设置有磁光晶体和用于固定所述磁光晶体的磁光晶体固定装置；本发明解决了因分离式磁体的强磁特性而需磁体胶粘接固定的工艺，且磁光晶体固定方式避免使用有机胶，保证了法拉第旋光器的光路及磁路均无胶化，在特高功率激光辐照下，可避免因胶粘剂升温脆化而产生挥发性物质的风险，在真空环境下具有良好的可靠性、稳定性及使用寿命。
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公开(公告)号：CN117684256A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311462748.9
申请日：2023-11-06
摘要： 本发明公开了一种解决异质外延法制备铁氧体单晶膜材料开裂问题的方法，属于铁氧体单晶膜材料生长技术领域，制备时采用表面为向外突出的曲面的衬底，所述曲面顶点到水平面的高度为d，0.05≤d≤0.15mm，曲率半径R为540mm～6460mm；本发明将衬底磨抛成特定的曲面，再使用该衬底进行液相外延，从而能够有效改善因单晶膜与衬底间的热膨胀系数不同造成的外延生长开裂问题，并且本发明提供的方法技术难度小，生长出的单晶膜完整性高。
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公开(公告)号：CN115094511A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210616486.6
申请日：2022-06-01
摘要： 本发明公开了一种同质外延生长石榴石型铁氧体单晶厚膜的方法，属于铁氧体单晶薄膜材料技术领域，本发明的方法为采用熔盐法制备石榴石同质衬底，并以此衬底进行液相外延，避免了异质衬底与膜之间的物理性能差异，有效减小了膜的内应力，降低膜的缺陷密度，提高成膜质量；本方法制备出的单晶厚膜与衬底间的内应力小，膜表面平整，缺陷少，结晶质量高，能有效的应用于微波器件或磁光器件。
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公开(公告)号：CN114737248A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210282043.8
申请日：2022-03-22
摘要： 本发明公开了一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法，属于磁性功能材料技术领域，该方法包括：以GGG或SGGG为衬底，采用液相外延法制备百微米级铁氧体单晶厚膜，在惰性气体、氧气混合气氛下进行阶梯式升降温退火处理，再经酸煮、清洗得到表面光滑平整的铁氧体单晶厚膜；经本发明退火处理的单晶厚膜厚，介电损耗、铁磁共振线宽、光损耗降低，累积应力得以释放，使单晶膜质量得以显著提升。
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