本发明公开了一种场增强的高灵敏度多带太赫兹检测器，其特征在于，包括超材料夹层吸收器，所述由顶层金属结构(SRR)、中间介电层、底层金属层以及基底组成，结构的几何参数为：l1＝60um，l2＝80um，l3＝100um，s1＝20um，s2＝25um，w1＝6um，w2＝4um，w3＝2um，P＝120um；金属部分均使用铝，电导率为3.56*10^7S/m，厚度均为h＝200nm，介电层使用聚乙烯，介电常数为2.1+j0.01，厚度为t＝10um。本发明基于太赫兹传感器的超材料吸收体可以作为RI传感器，通过太赫兹传感器的电场分布和表面电流分布，分析了太赫兹传感器谐振峰的产生和变化，同样，还分析了覆盖样品厚度对太赫兹传感器的谐振频移和反射系数的影响，根据上述变化和样品量的变化，选择样品的最终厚度为6μm，通过多方面数据的检测，使得装置可以得出最符合要求的传感器。