发明公开
- 专利标题： P面出光的micro芯片制备方法及芯片
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申请号： CN202211234896.0申请日： 2022-10-10
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公开(公告)号： CN115458642A公开(公告)日： 2022-12-09
- 发明人: 郝茂盛 , 陈朋 , 袁根如 , 张楠 , 马后永 , 马艳红 , 岑岗 , 魏帅帅
- 申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼507-2室
- 专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
- 当前专利权人： 上海芯元基半导体科技有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼507-2室
- 代理机构： 上海慧晗知识产权代理事务所
- 代理商 李茂林; 周冬文
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/32
摘要：
本发明涉及芯片制备领域，公开了一种P面出光micro芯片制备方法及芯片。本发明所公布的P面出光micro芯片制备方法中，通过第一沟槽的设计分割了芯片，使得在剥离大面积芯片时应力得到缓解，并且在用化学湿法剥离技术时，化学药液进入路径变短，解决了在剥离蓝宝石衬底过程中外延层易损伤的问题，提高了micro芯片的成品率。
IPC分类:
