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公开(公告)号：CN114447176B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210106765.8
申请日：2022-01-28
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种垂直结构的薄膜LED芯片，包括：外延发光结构，具有相对的第一主面和第二主面，包括依次堆叠的N型外延层、发光层和P型外延层，外延发光结构具有贯穿至所述N型外延层表面的第一台阶结构；N电极，设置于所述N型外延层的第一台阶结构上，N电极包括主体部和延伸部，并且所述N电极通过所述主体部与所述第一台阶结构的上表面形成电性接触，所述延伸部围绕所述N型外延层的侧壁形成；和P电极，所述P电极设置于所述外延发光结构的第一主面上。本发明还提供一种微型LED阵列。所述薄膜LED芯片可以解决现有芯片结构中四周边缘的电流扩展均匀性较差，提高了芯片的电流扩展均匀性及反射有效面积，从而最大程度地提高了芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN116110808A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310156451.3
申请日：2023-02-23
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种MicroLED芯片及其制备方法和MicroLED显示器件及其制备方法，其中，MicroLED显示器件的制备方法包括：S1、提供一外延片；外延片包括一次堆叠的生长衬底、N‑GaN层、发光层和P‑GaN层；S2、在P‑GaN层的表面形成第一ITO膜层；S3、在第一ITO膜层表面沉积第一绝缘层；S4、在第一绝缘层上形成若干个周期性排列的凹孔；S5、在凹孔中形成P电极金属柱；S6、将P电极金属柱与CMOS驱动芯片上的正电极金属层连接，以实现MicroLED芯片与CMOS驱动芯片的键合；S7、去除生长衬底；S8、将N‑GaN层减薄；S9、在外延片上形成分割槽，分割槽贯穿N‑GaN层、发光层和P‑GaN层以形成多个LED像素点，每个LED像素点与对应的正电极金属层对齐，并且每个LED像素点分别对应若干个P电极金属柱。
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公开(公告)号：CN115458643A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211235611.5
申请日：2022-10-10
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及芯片制备领域，公开了一种阵列micro芯片制备方法及芯片，该方法能解决在剥离蓝宝石衬底过程中导致外延层损伤的问题。该制备方法通过第一通孔与第二通孔的设计，有效解决了芯片尺寸过大的问题，通过分割芯片，使得在剥离大面积芯片时应力得到缓解；并且通过所述第一通孔与所述第二通孔，使得在用化学湿法剥离技术时，化学药液进入路径变短，达到使芯片上的可以实现同步均匀剥离的目的，最终提高阵列micro芯片的成品率。
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公开(公告)号：CN116154051A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310060677.3
申请日：2023-01-18
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种非平面结构外延层及其芯片结构的制备方法，该方法包括：提供一复合衬底，其中，复合衬底包括第一衬底以及形成在第一衬底上的图形化层，图形化层包括周期性排布的若干第一结构；生长第一外延层，第一外延层形成于周期性排布的若干第一结构之间的间隙中，且填满间隙；生长第二外延层，第二外延层形成于第一外延层上，且控制第二外延层的纵向生长速率，以使得第二外延层具有若干生长顶峰；且控制第二外延层的横向生长速率，以使得第二外延层相邻的生长顶峰之间形成横向闭合低谷；且横向闭合低谷的高度低于生长顶峰；按照第二外延层的形状，在第二外延层的表面依次生长N型外延层、发光层、P型外延层。
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公开(公告)号：CN115832153A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211549176.3
申请日：2022-12-05
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及芯片制备领域，公开了一种高亮度Micro‑LED阵列芯片、制备方法及显示装置，其中，芯片包括：转移基板，以及在转移基板上由下往上依次堆叠的透镜层、第一导电层、第二导电层、第一绝缘层、第三导电层以及外延层；以及COMS基板；所述第一导电层、第二导电层、第一绝缘层与第三导电层上具有第一通孔且孔内填充了第一导电层材料；所述外延层包括：若干LED像素单元、第一N电极以及第一P电极；相邻两个LED像素单元之间具有第二通孔，且孔内填充绝缘反射材料；所述CMOS基板上包括：第二N电极以及第二P电极；第二N电极与第一N电极对应相连，第二P电极与第一P电极对应相连。本发明所提供的芯片极大的增加了LED像素单元的出光效率。
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公开(公告)号：CN115602766A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211317293.7
申请日：2022-10-26
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司(CN)
摘要： 本发明涉及芯片制备领域，公开了一种RGB阵列芯片制备方法及芯片，通过本发明所公布的RGB阵列芯片制备方法所制备的RGB阵列芯片中，通过单一外延结构、绿光以及红光量子点的模式，直接做出一颗RGB阵列芯片，该RGB阵列芯片能与对应显示模块直接完成线路连接及封装，使得micro全彩LED芯片集成方案效率大幅提升，大幅降低了全彩micro的显示成本。
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公开(公告)号：CN114447176A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210106765.8
申请日：2022-01-28
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种垂直结构的薄膜LED芯片，包括：外延发光结构，具有相对的第一主面和第二主面，包括依次堆叠的N型外延层、发光层和P型外延层，外延发光结构具有贯穿至所述N型外延层表面的第一台阶结构；N电极，设置于所述N型外延层的第一台阶结构上，N电极包括主体部和延伸部，并且所述N电极通过所述主体部与所述第一台阶结构的上表面形成电性接触，所述延伸部围绕所述N型外延层的侧壁形成；和P电极，所述P电极设置于所述外延发光结构的第一主面上。本发明还提供一种微型LED阵列。所述薄膜LED芯片可以解决现有芯片结构中四周边缘的电流扩展均匀性较差，提高了芯片的电流扩展均匀性及反射有效面积，从而最大程度地提高了芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN116914065A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311115468.0
申请日：2023-08-31
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供的一种多孔荧光片，包括：第一基板；若干阵列排布的孔洞；形成于第一基板中，且贯穿第一基板；若干反射镜层；分别形成于孔洞的侧壁上；若干荧光结构；分别填充于孔洞中；若干透镜结构；分别形成于对应的荧光结构的顶端；其中，在同一孔洞中形成的反射镜层，荧光结构以及其顶端对应形成的透镜结构形成荧光结构单元；其中，当多孔荧光片键合于LED模组上时，至少部分LED像素单元的顶端对应形成有荧光结构单元。该方案解决了如何提高光线聚集度和芯片出光亮度，同时提高LED模组的分辨率的问题，以及LED模组与荧光片合并制备的工艺效率低，无法事先定制不同的多孔荧光片的问题。
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公开(公告)号：CN115458642A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211234896.0
申请日：2022-10-10
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及芯片制备领域，公开了一种P面出光micro芯片制备方法及芯片。本发明所公布的P面出光micro芯片制备方法中，通过第一沟槽的设计分割了芯片，使得在剥离大面积芯片时应力得到缓解，并且在用化学湿法剥离技术时，化学药液进入路径变短，解决了在剥离蓝宝石衬底过程中外延层易损伤的问题，提高了micro芯片的成品率。
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公开(公告)号：CN114512504A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210108764.7
申请日：2022-01-28
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种防光串扰Micro‑LED芯片结构、制备方法及显示装置，该芯片结构包括：透明基板；多个LED像素单元，每个LED像素单元的N型外延层具有mesa台阶；相邻两个LED像素单元之间通过第一沟槽间隔开；N电极单元；吸光层，设置在第一沟槽所在的透明基板上、以及N电极单元与其相邻的LED像素单元之间的透明基板上；吸光层的材料为黑色导电材料；金属导电层，覆盖在每个LED像素单元的N型外延层的mesa台阶的两侧与侧壁上以及吸光层上，以使得所有的LED像素单元的N型外延层电性连接；且所有的LED像素单元的N型外延层电性连接至N电极单元；绝缘层；P电极，贯穿绝缘层后设置于LED像素单元的P型外延层上；N电极，贯穿绝缘层后设置于N电极单元上。
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