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公开(公告)号：CN113284990B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202110691417.7
申请日：2021-06-22
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种垂直LED芯片结构及其制备方法。制备方法包括步骤：提供生长衬底，形成外延层；于外延层中形成多个间隔分布的第一凹槽；于第一凹槽中形成第一N电极金属层；形成N电极绝缘层；形成P电极金属层以覆盖P型GaN层及N电极绝缘层；将P电极金属层与支撑衬底键合；去除生长衬底；于N型GaN层的表面形成表面绝缘层；于表面绝缘层中形成多个间隔分布的第二凹槽，第二凹槽显露出N型GaN层，第一凹槽和第二凹槽上下对应；形成第二N电极金属层，第二N电极金属层填充第二凹槽，且各第二凹槽内的第二N电极金属层相互电连接。本发明可以有效减少芯片击穿现象，减少绝缘层产生裂纹的现象，能显著减少芯片漏电现象，提高芯片的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN115602766A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211317293.7
申请日：2022-10-26
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司(CN)
摘要： 本发明涉及芯片制备领域，公开了一种RGB阵列芯片制备方法及芯片，通过本发明所公布的RGB阵列芯片制备方法所制备的RGB阵列芯片中，通过单一外延结构、绿光以及红光量子点的模式，直接做出一颗RGB阵列芯片，该RGB阵列芯片能与对应显示模块直接完成线路连接及封装，使得micro全彩LED芯片集成方案效率大幅提升，大幅降低了全彩micro的显示成本。
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公开(公告)号：CN114447176A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210106765.8
申请日：2022-01-28
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种垂直结构的薄膜LED芯片，包括：外延发光结构，具有相对的第一主面和第二主面，包括依次堆叠的N型外延层、发光层和P型外延层，外延发光结构具有贯穿至所述N型外延层表面的第一台阶结构；N电极，设置于所述N型外延层的第一台阶结构上，N电极包括主体部和延伸部，并且所述N电极通过所述主体部与所述第一台阶结构的上表面形成电性接触，所述延伸部围绕所述N型外延层的侧壁形成；和P电极，所述P电极设置于所述外延发光结构的第一主面上。本发明还提供一种微型LED阵列。所述薄膜LED芯片可以解决现有芯片结构中四周边缘的电流扩展均匀性较差，提高了芯片的电流扩展均匀性及反射有效面积，从而最大程度地提高了芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN114447176B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210106765.8
申请日：2022-01-28
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种垂直结构的薄膜LED芯片，包括：外延发光结构，具有相对的第一主面和第二主面，包括依次堆叠的N型外延层、发光层和P型外延层，外延发光结构具有贯穿至所述N型外延层表面的第一台阶结构；N电极，设置于所述N型外延层的第一台阶结构上，N电极包括主体部和延伸部，并且所述N电极通过所述主体部与所述第一台阶结构的上表面形成电性接触，所述延伸部围绕所述N型外延层的侧壁形成；和P电极，所述P电极设置于所述外延发光结构的第一主面上。本发明还提供一种微型LED阵列。所述薄膜LED芯片可以解决现有芯片结构中四周边缘的电流扩展均匀性较差，提高了芯片的电流扩展均匀性及反射有效面积，从而最大程度地提高了芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN115458643A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211235611.5
申请日：2022-10-10
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及芯片制备领域，公开了一种阵列micro芯片制备方法及芯片，该方法能解决在剥离蓝宝石衬底过程中导致外延层损伤的问题。该制备方法通过第一通孔与第二通孔的设计，有效解决了芯片尺寸过大的问题，通过分割芯片，使得在剥离大面积芯片时应力得到缓解；并且通过所述第一通孔与所述第二通孔，使得在用化学湿法剥离技术时，化学药液进入路径变短，达到使芯片上的可以实现同步均匀剥离的目的，最终提高阵列micro芯片的成品率。
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公开(公告)号：CN115084319A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210446089.9
申请日：2022-04-26
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/48 , H01L25/075 , H01L21/683
摘要： 本发明提供了一种LED芯片的转移方法及相应的及LED芯片结构，该方法包括以下步骤：将衬底剥离后的LED芯片阵列转移至弹性膜上，并使得LED芯片的电极面与所述弹性膜接触；将所述弹性膜进行等间距均匀扩膜，使得相邻LED芯片之间的间距扩大；将LED芯片阵列由所述弹性膜转移至透明基板上，并使得LED芯片的出光面与透明基板接触。本发明提供的LED芯片的转移方法，利用弹性膜为中转载体，在进行扩膜后将LED芯片阵列转移至透明基板，并方便后续图案化机械加工，从而可以高效、简单地实现批量小型LED芯片的任意等距转移。
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公开(公告)号：CN113284990A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110691417.7
申请日：2021-06-22
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种垂直LED芯片结构及其制备方法。制备方法包括步骤：提供生长衬底，形成外延层；于外延层中形成多个间隔分布的第一凹槽；于第一凹槽中形成第一N电极金属层；形成N电极绝缘层；形成P电极金属层以覆盖P型GaN层及N电极绝缘层；将P电极金属层与支撑衬底键合；去除生长衬底；于N型GaN层的表面形成表面绝缘层；于表面绝缘层中形成多个间隔分布的第二凹槽，第二凹槽显露出N型GaN层，第一凹槽和第二凹槽上下对应；形成第二N电极金属层，第二N电极金属层填充第二凹槽，且各第二凹槽内的第二N电极金属层相互电连接。本发明可以有效减少芯片击穿现象，减少绝缘层产生裂纹的现象，能显著减少芯片漏电现象，提高芯片的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN113540312B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202010317560.5
申请日：2020-04-21
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种LED芯片结构及其制备方法，LED芯片结构包括发光区及漏电防护区，其中，通过位于漏电防护区中的覆盖保护金属层的钝化层，以形成发光区的漏电防护；或通过位于漏电防护区中的钝化层的开口，以显露保护金属层，使发光区的N电极可同时作为漏电防护区的P电极，从而在漏电防护区形成一个与发光区桥接的反向保护二极管，以形成漏电保护电路；从而可有效解决LED芯片结构的漏电问题。
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公开(公告)号：CN114512504B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210108764.7
申请日：2022-01-28
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种防光串扰Micro‑LED芯片结构、制备方法及显示装置，该芯片结构包括：透明基板；多个LED像素单元，每个LED像素单元的N型外延层具有mesa台阶；相邻两个LED像素单元之间通过第一沟槽间隔开；N电极单元；吸光层，设置在第一沟槽所在的透明基板上、以及N电极单元与其相邻的LED像素单元之间的透明基板上；吸光层的材料为黑色导电材料；金属导电层，覆盖在每个LED像素单元的N型外延层的mesa台阶的两侧与侧壁上以及吸光层上，以使得所有的LED像素单元的N型外延层电性连接；且所有的LED像素单元的N型外延层电性连接至N电极单元；绝缘层；P电极，贯穿绝缘层后设置于LED像素单元的P型外延层上；N电极，贯穿绝缘层后设置于N电极单元上。
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公开(公告)号：CN115810622A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211362707.8
申请日：2022-11-02
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/14 , H01L33/46 , H01L33/36 , H01L33/00
摘要： 本发明提供了一种LED芯片，包括：玻璃片，形成于所述玻璃片上的第二LED晶粒；第一反射镜层，形成于所述第二LED晶粒上；其中，所述第一反射镜层的尺寸适配于所述第二LED晶粒的尺寸；第一胶层；第一LED晶粒，通过所述第一胶层粘结于所述第一反射镜层上；其中，所述第一LED晶粒的尺寸适配于所述第一反射镜层的尺寸。本发明提供的技术方案，相较于现有技术中的蓝宝石衬底而言，解决了透光率受限的问题，实现了垂直堆叠的LED芯片的亮度进一步提高的技术效果。
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