本发明涉及一种横向同质异质结存储器器件及制备方法，存储器器件包括：衬底栅层、第一介质层、第二介质层、二维半导体沟道层和欧姆电极，其中，第一介质层和第二介质层均位于衬底栅层上，且第一介质层和第二介质层相接触；二维半导体沟道层位于第一介质层和第二介质层上；欧姆电极位于二维半导体沟道层的两端。该存储器器件通过复合介质层对二维半导体沟道层进行介质调控和静电栅调控，使得同质材料中形成横向异质结，形成的横向异质结截面处于第一介质层和第二介质层的交界处，且形成的横向异质结界面只有一条线，减少了界面处的缺陷，并且由于是采用同种材料形成的异质结，所以不存在不同材料间的晶格失配问题，提高了存储器电学性能。