一种半导体结构包括半导体衬底、多个堆叠单元、导电结构、多个介电质、第一电极条带、第二电极条带以及多个接触结构。堆叠单元在半导体衬底之上向上堆叠，且包括第一钝化层、第二钝化层及夹置在第一钝化层与第二钝化层之间的沟道层。导电结构设置在半导体衬底上且包绕在堆叠单元周围。介电质环绕堆叠单元且将堆叠单元与导电结构分离。第一电极条带与第二电极条带位于导电结构的两个相对的侧上。接触结构将堆叠单元中的每一者的沟道层连接到第一电极条带及第二电极条带。