本发明提供一种半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型掺杂外延层，在N型掺杂外延层上设有高压区和低压区，在高压区与低压区之间设有高低压结终端区，在低压区和高低压结终端区之间设有第一P型隔离柱，在高压区和高低压结终端区之间设有第二P型隔离柱，在第一P型隔离柱上连接第二P型隔离柱，所述第一P型隔离柱和第二P型隔离柱形成一个或多个封闭区域，高压器件设置在所述封闭区域中。所述高压器件为JFET器件、LDMOS器件、LIGBT器件、功率二极管器件中的一种或多种。本发明提高了芯片面积的利用率，从而降低了集成电路的成本。