本发明涉及半导体材料领域，特别涉及一种碳化硅籽晶的处理方法和碳化硅晶体的生长方法。通过对碳化硅晶片先后进行碱蒸汽腐蚀和熔融碱腐蚀的方法，使得碳化硅晶片的碳面的基平面位错转化为腐蚀坑，同时获得表面较为平整的碳化硅籽晶，并利用最终获得的碳化硅籽晶进行碳化硅晶体生长。本发明针对碱蒸汽腐蚀后得到的碳化硅晶片继续进行熔融碱腐蚀，熔融碱腐蚀对碳化硅晶片的碳面的腐蚀速度慢，通过控制熔融碱腐蚀的时间，最终形成表面平整的碳化硅籽晶，利用碳化硅籽晶进行碳化硅晶体生长，显露出来的腐蚀坑在晶体生长时受到增强的镜像力的作用，会强制合并显露出来的腐蚀坑，将基平面位错转变为贯穿型刃位错，从而获得低基平面位错密度的晶体。