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公开(公告)号：CN114093765B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210051840.5
申请日：2022-01-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/324 , H01L21/26 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及碳化硅领域，公开了一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法，通过先对碳化硅薄膜进行热处理，激活碳化硅薄膜中的碳空位和氢杂质，然后利用紫外光照射碳化硅薄膜，控制碳化硅的准费米能级位置，使得氢杂质由负电调整为正电，利用带正电的氢杂质钝化带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级，从而提高碳化硅薄膜少子寿命，且不会额外增加其他的缺陷。
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公开(公告)号：CN115424099A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211383066.4
申请日：2022-11-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G06V10/778 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/26 , G06T7/00 , G06T7/73 , G06T3/40 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种用于识别碳化硅位错的模型训练方法、识别方法及装置，通过获取背景干净且不同位错无重叠的第一碳化硅位错图片样本进行标注，再通过神经网络模型进行训练得到第1代检测模型；获取背景干净且存在位错重叠交错的多张第二碳化硅位错图片样本，通过第1代检测模型进行检测后进行标注，再通过神经网络模型对标注后的多张第一碳化硅位错图片样本和第二碳化硅位错图片样本进行训练，得到第2代检测模型；获取背景不干净的多张第三碳化硅位错图片样本，根据上述步骤得到第3代检测模型。采用本发明在保证识别准确率的条件下，大大节省了时间和人工成本，并节约了30%以上的晶片加工成本，进而降低了检测成本。
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公开(公告)号：CN114496728A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111654707.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种低缺陷碳化硅外延材料制备方法，涉及碳化硅外延材料的技术领域，向反应室通入氩气和氯化氢与氢气组成混合气体来对碳化硅偏轴衬底进行5～20min的原位刻蚀。氯化氢与氢气的通入使碳化硅偏轴衬底表面Si组分和C组分达到相似的去除速度，从而获得更光滑的衬底表面，氩气的通入使反应室内的温场更均匀的同时，减少了反应室中由氯化氢与氢气刻蚀碳化硅偏轴衬底产生的各项异性，减少了表面刻蚀的不均匀性以及衬底延伸至外延层的表面缺陷，后经缓冲层生长以及外延层生长获得的碳化硅外延材料具有低表面缺陷密度和高均匀性的优点。
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公开(公告)号：CN114318551A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210244788.5
申请日：2022-03-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置，包括：提供碳化硅晶片，将碳化硅晶片放置到坩埚中，其中，碳化硅陪片的第一表面面向腐蚀剂，碳化硅陪片的第二表面面向碳化硅晶片的碳面，碳化硅陪片的尺寸与坩埚内壁的尺寸相适应且碳化硅陪片的侧边与坩埚的内壁之间留有间隙，碳化硅晶片的碳面与碳化硅陪片的第二表面之间小于或等于预定距离；基于加热工艺对坩埚进行加热，加热形成的腐蚀剂蒸汽对所述碳化硅晶片和所述碳化硅陪片进行腐蚀。本发明使得在保证高温腐蚀活性的同时有效降低腐蚀剂浓度，实现碳化硅晶片碳面和硅面位错的显露，在碳化硅晶片的碳面和硅面得到区分度高的位错腐蚀坑，识别明确。
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公开(公告)号：CN114093765A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202210051840.5
申请日：2022-01-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/324 , H01L21/26 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及碳化硅领域，公开了一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法，通过先对碳化硅薄膜进行热处理，激活碳化硅薄膜中的碳空位和氢杂质，然后利用紫外光照射碳化硅薄膜，控制碳化硅的准费米能级位置，使得氢杂质由负电调整为正电，利用带正电的氢杂质钝化带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级，从而提高碳化硅薄膜少子寿命，且不会额外增加其他的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113550012B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202110859503.4
申请日：2021-07-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请公开了一种用于碱蒸汽腐蚀碳化硅晶片的装置，包括：反应部，反应部包括硅晶圆安装部和耐腐蚀腔；加热部，加热部与反应部相连，加热部用于对耐腐蚀腔加热；封堵部，封堵部包括第一管堵和第二管堵；通过设置管堵，实现对反应部的密封，保障腐蚀效果；通过在管堵设置冷凝区和反应区，实现对高温碱性蒸汽的吸收和反应，减少碱性蒸汽散发的空气中对人体健康造成影响。
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公开(公告)号：CN114274040B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111420775.0
申请日：2021-11-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅研磨设备，涉及半导体加工设备技术领域，包括：保温筒体，保温筒体内壁上设有第一加热元件，保温筒体底部开口处设有保温盖体，保温盖体与保温筒体配合连接；研磨组件，研磨组件设于保温筒体内，研磨组件包括由上向下依次同轴设置的第一研磨组件、行星盘和第二研磨组件，行星盘用于放置样品；驱动机构，驱动机构用于驱动第一研磨组件和第二研磨组件之间发生相对转动；研磨剂供应装置，研磨剂供应装置与保温筒体相连通。本申请的研磨设备可以将减薄和研磨一步完成，实现碳化硅片的快速研磨，提高了生产效率。同时，在高温下进行研磨加工则有利于降低加工过程引入的应力，进而提高了成品率，降低碳化硅晶片的变形。
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公开(公告)号：CN114775046A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210710329.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，公开了一种碳化硅外延层生长方法，通过通入具有第一预定碳源流量的碳源和第一预定硅源流量的硅源，在碳化硅衬底片表面生成第一缓冲层，使得通过对碳硅流量比以及具体通入的碳源流量的调整，促使从碳化硅衬底片延伸出来的贯穿型位错在第一缓冲层的生长过程中转变为层错和基平面位错，并进行横向移动，移出所述晶体的第一缓冲层，从而减少从所述第一缓冲层进入外延层的位错数量，降低外延层中的位错密度，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN114262942B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210200525.4
申请日：2022-03-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片腐蚀化系统，包括工作台面、传送机构、密封舱和排气装置；工作台面包括多个工作腔，密封舱用于对所述工作腔进行密封，防止有害气体泄露；传送机构用于根据设定程序自动将碳化硅晶片依次从密封舱传送到不同的工作腔中进行功能化处理；排气装置用于对从工作腔散发出的有害气体进行无害化处理。本发明将碳化硅片晶片的腐蚀化过程都集成在一个工作台面，通过自动化机构，实现碳化硅晶片在功能化处理过程中的自动化；整个工作台面通过密封舱和排气装置保持负压状态，防止有害气体的挥发，工作人员只需取放样品和通过观察窗查看腐蚀进度，避免高温和有害气体的接触，最大限度保护人员安全。
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公开(公告)号：CN113550012A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110859503.4
申请日：2021-07-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请公开了一种用于碱蒸汽腐蚀碳化硅晶片的装置，包括：反应部，反应部包括硅晶圆安装部和耐腐蚀腔；加热部，加热部与反应部相连，加热部用于对耐腐蚀腔加热；封堵部，封堵部包括第一管堵和第二管堵；通过设置管堵，实现对反应部的密封，保障腐蚀效果；通过在管堵设置冷凝区和反应区，实现对高温碱性蒸汽的吸收和反应，减少碱性蒸汽散发的空气中对人体健康造成影响。
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