本发明涉及一种钳位电压可选的横向穿通型SiC‑TVS器件，包括碳化硅衬底层、外延层基区、正电极和若干负电极，外延层基区内包括有两个端部发射区扩展区、若干个中间发射区扩展区、两个端部发射区以及若干个中间发射区，外延层基区、端部发射区扩展区和中间发射区扩展区为轻掺杂，端部发射区和中间发射区为重掺杂；碳化硅衬底层、端部发射区扩展区、中间发射区扩展区、端部发射区和中间发射区为第一导电类型，外延层基区为第二导电类型，第一导电类型和第二导电类型相反。本发明在平面NPN或PNP穿通结构的基区表面横向插入若干个N+或P+发射区，通过优化发射区结构参数和基区浓度，在单管TVS芯片上实现更宽范围的钳位电压选择。