发明公开
- 专利标题: 一种硅光芯片高密度光电共封装的封装结构及封装方法
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申请号: CN202211398685.0申请日: 2022-11-09
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公开(公告)号: CN115632072A公开(公告)日: 2023-01-20
- 发明人: 王真真 , 李佳 , 黄欣雨 , 储涛
- 申请人: 之江实验室
- 申请人地址: 浙江省杭州市余杭区之江实验室南湖总部
- 专利权人: 之江实验室
- 当前专利权人: 之江实验室
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市余杭区之江实验室南湖总部
- 代理机构: 杭州天勤知识产权代理有限公司
- 代理商 曹兆霞
- 主分类号: H01L31/0203
- IPC分类号: H01L31/0203 ; H01L31/0224 ; H01L25/16 ; H01L31/18
摘要:
本发明公开了一种硅光芯片高密度光电共封装的封装结构及封装方法,包括硅光芯片、扇出结构基板以及转接电路模块,扇出结构基板既作为基板,又作为扇出结构,通过其底部的高密度第二电学引脚、内部电路图以及第三电学引脚,在固定硅光芯片的同时,将硅光芯片的高密度第一电学引脚扇出至第三电学引脚,并采用引线焊接方式与转接电路模块的第四电学引脚电学连接,实现电学封装,并避免封装和使用中的热失配问题。扇出结构基板的工字形状,扇出结构基板的两侧凹槽区域作为避让空间,便于硅光芯片两侧光学耦合端口与外部光纤阵列的耦合封装,满足了电学引脚、光学耦合端口高密度并存的硅光芯片及类似光芯片的封装需求。