发明公开
- 专利标题： 高压晶体管结构及其制造方法
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申请号： CN202110895424.9申请日： 2021-08-05
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公开(公告)号： CN115706163A公开(公告)日： 2023-02-17
- 发明人: 邱淳雅 , 傅思逸 , 许智凯 , 陈金宏 , 许嘉榕 , 林毓翔
- 申请人： 联华电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陈小雯
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/08 ; H01L29/06 ; H01L21/336
摘要：
本发明公开一种高压晶体管结构及其制造方法，其中该高压晶体管结构包括基底、第一漂移区、第二漂移区、第一盖层、第二盖层、栅极结构、第一源极/漏极区与第二源极/漏极区。第一漂移区与第二漂移区设置在基底中。第一盖层与第二盖层分别设置在第一漂移区与第二漂移区上。栅极结构设置在基底上，且位于至少一部分第一漂移区与至少一部分第二漂移区上方。第一源极/漏极区与第二源极/漏极区分别设置在第一漂移区与第二漂移区中，且位于栅极结构的两侧。第一漂移区的尺寸与第二漂移区的尺寸不对称。
IPC分类:
