发明公开
- 专利标题: 基于Ge2Sb2Te5的红外隐身与辐射散热薄膜及其制备方法
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申请号: CN202211439359.X申请日: 2022-11-17
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公开(公告)号: CN115747740A公开(公告)日: 2023-03-07
- 发明人: 曹峰 , 任志坤 , 伍作徐 , 王建 , 张倩 , 毛俊
- 申请人: 哈尔滨工业大学(深圳)
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区桃源街道深圳大学城哈尔滨工业大学校区
- 专利权人: 哈尔滨工业大学(深圳)
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学(深圳)
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市南山区桃源街道深圳大学城哈尔滨工业大学校区
- 代理机构: 深圳市添源创鑫知识产权代理有限公司
- 代理商 姜书新
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35 ; C23C14/06 ; C23C14/14 ; C23C14/58 ; F41H3/00
![基于Ge2Sb2Te5的红外隐身与辐射散热薄膜及其制备方法](/CN/2022/1/287/images/202211439359.jpg)
摘要:
本发明属于材料制备技术领域,具体涉及基于Ge2Sb2Te5的红外隐身与辐射散热薄膜及其制备方法。本发明的红外隐身与辐射调控选择性发射薄膜材料为Ni和Ge2Sb2Te5,衬底为高纯硅片。选择性发射薄膜包含为Ni/晶态Ge2Sb2Te5/Ni/非晶态Ge2Sb2Te5四层结构,中间层晶态Ge2Sb2Te5通过沉积后退火得到。该结构可同时实现在3‑5、8‑13μm的“大气窗口”区间低发射,和在窗口外5‑8μm的高发射,同时实现了隐身和散热的双功能效果。