公开(公告)号：CN115011936B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202210550868.3

申请日：2022-05-20

申请人： 哈尔滨工业大学(深圳)

发明人： 曹峰 ,  伍作徐 ,  张倩 ,  毛俊 ,  王建 ,  任志坤

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14

摘要： 本发明提供了一种基于周期性损耗介质的选择性分光吸热涂层及其制备方法，所述基于周期性损耗介质的选择性分光吸热涂层从上到下依次包括三周期的损耗介质层，所述损耗介质层为ITO层/Si层、ITO层/SiC层、或WO3层/Si层。采用本发明的技术方案，可以同时实现分光和吸热一体，可同时兼顾725‑1100 nm光伏带内的反射和光伏带外太阳光谱范围内的光吸收，且高温稳定性好，在400℃高温真空环境下可以稳定100 h以上，性能没有变坏趋势。

公开(公告)号：CN115011936A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210550868.3

申请日：2022-05-20

申请人： 哈尔滨工业大学(深圳)

发明人： 曹峰 ,  伍作徐 ,  张倩 ,  毛俊 ,  王建 ,  任志坤

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14

摘要： 本发明提供了一种基于周期性损耗介质的选择性分光吸热涂层及其制备方法，所述基于周期性损耗介质的选择性分光吸热涂层从上到下依次包括三周期的损耗介质层，所述损耗介质层为ITO层/Si层、ITO层/SiC层、或WO3层/Si层。采用本发明的技术方案，可以同时实现分光和吸热一体，可同时兼顾725‑1100 nm光伏带内的反射和光伏带外太阳光谱范围内的光吸收，且高温稳定性好，在400℃高温真空环境下可以稳定100 h以上，性能没有变坏趋势。

公开(公告)号：CN115747740A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211439359.X

申请日：2022-11-17

申请人： 哈尔滨工业大学(深圳)

发明人： 曹峰 ,  任志坤 ,  伍作徐 ,  王建 ,  张倩 ,  毛俊

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  F41H3/00

摘要： 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及基于Ge2Sb2Te5的红外隐身与辐射散热薄膜及其制备方法。本发明的红外隐身与辐射调控选择性发射薄膜材料为Ni和Ge2Sb2Te5，衬底为高纯硅片。选择性发射薄膜包含为Ni/晶态Ge2Sb2Te5/Ni/非晶态Ge2Sb2Te5四层结构，中间层晶态Ge2Sb2Te5通过沉积后退火得到。该结构可同时实现在3‑5、8‑13μm的“大气窗口”区间低发射，和在窗口外5‑8μm的高发射，同时实现了隐身和散热的双功能效果。