发明公开
- 专利标题: 具有改良屏蔽的阶梯式间接加热阴极
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申请号: CN202180043817.5申请日: 2021-06-16
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公开(公告)号: CN115769333A公开(公告)日: 2023-03-07
- 发明人: 威廉·普拉托维 , 奈尔·巴森 , 舒·佐藤 , 保罗·西尔弗斯坦 , 马文·法利
- 申请人: 艾克塞利斯科技公司
- 申请人地址: 美国马萨诸塞州比佛利市樱桃山大道108号
- 专利权人: 艾克塞利斯科技公司
- 当前专利权人: 艾克塞利斯科技公司
- 当前专利权人地址: 美国马萨诸塞州比佛利市樱桃山大道108号
- 代理机构: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
- 代理商 张琳; 寿宁
- 优先权: 63/040,724 20200618 US
- 国际申请: PCT/US2021/037642 2021.06.16
- 国际公布: WO2021/257712 EN 2021.12.23
- 进入国家日期: 2022-12-19
- 主分类号: H01J37/08
- IPC分类号: H01J37/08 ; H01J1/20 ; H01J27/20 ; H01J27/08
摘要:
用于形成一等离子体的离子源,具有阴极,该阴极具有一空腔及界定阴极阶梯的阴极表面。灯丝安置于该空腔内。一阴极屏蔽件具有至少部分地包围所述阴极表面的阴极屏蔽件表面。一阴极间隙形成于所述阴极表面与阴极屏蔽件表面之间,界定用于限制该等离子体穿过该间隙的弯曲路径。所述阴极表面可具有由第一阴极直径及第二阴极直径所界定的阶梯式圆柱形表面,该第一阴极直径及第二阴极直径彼此不同,以界定该阴极阶梯。该阶梯式圆柱形表面可为一外表面或一内表面。该第一阴极直径及第二阴极直径可为同心的或轴向偏心的。