镧钨离子源及束线组件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109075000B

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN201780025607.7

    申请日:2017-05-15

    IPC分类号: H01J37/08 H01J37/317

    摘要: 本发明提供一种离子注入系统,其具有一个或多个导电组件,所述导电组件由镧钨以及与预定百分比的稀土金属形成合金的耐熔金属中的一种或多种组成。所述导电组件可以是离子源的组件,诸如阴极、阴极护罩、推斥极、内衬、孔板、电弧腔室主体和撞击板中的一个或多个。所述孔板可以与引出孔径、抑制孔径和接地孔径中的一个或多个相关联。

    改进的离子源阴极护罩
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108701573A

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201780004429.X

    申请日:2017-01-19

    IPC分类号: H01J27/02 H01J27/08

    摘要: 一种离子源具有电弧腔室主体的电弧腔室。电极延伸到电弧腔室主体的内部区域中,并且阴极护罩具有呈圆柱形且具有轴向通孔的主体。轴向通孔配置成使电极贯穿其中。主体的第一端和第二端具有相应的第一气体传导限制器和第二气体传导限制器。第一气体传导限制器自主体的外径延伸并且具有U形唇缘。第二气体传导限制器具有用于密封件的凹部,以保护密封件免受腐蚀性气体影响并保持密封件的完整性。气源将气体引入电弧腔室主体。内衬具有配置成使阴极护罩贯穿其中的开口,其中内衬具有凹部。

    具有多个偏置电极的离子源
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117321723A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202280030080.8

    申请日:2022-05-11

    IPC分类号: H01J37/08

    摘要: 一种离子源,包括具有第一末端和第二末端的电弧腔体以及用于围封出腔体容积的孔板。提取孔布置于第一末端和第二末端之间。阴极靠近电弧腔体的第一末端,以及反射极靠近第二末端。大体为U形的第一偏置电极位于腔体容积内的提取孔的第一侧上。大体为U形的第二偏置电极位于腔体容积内的提取孔的第二侧上,其中第一偏置电极和第二偏置电极靠近提取孔分隔第一距离以及远离提取孔分隔第二距离。电极电源向第一偏置电极和第二偏置电极提供第一正电压和第二正电压,其中第一正电压和第二正电压相差预定偏置差。

    具有改良屏蔽的阶梯式间接加热阴极

    公开(公告)号:CN115769333A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202180043817.5

    申请日:2021-06-16

    摘要: 用于形成一等离子体的离子源,具有阴极,该阴极具有一空腔及界定阴极阶梯的阴极表面。灯丝安置于该空腔内。一阴极屏蔽件具有至少部分地包围所述阴极表面的阴极屏蔽件表面。一阴极间隙形成于所述阴极表面与阴极屏蔽件表面之间,界定用于限制该等离子体穿过该间隙的弯曲路径。所述阴极表面可具有由第一阴极直径及第二阴极直径所界定的阶梯式圆柱形表面,该第一阴极直径及第二阴极直径彼此不同,以界定该阴极阶梯。该阶梯式圆柱形表面可为一外表面或一内表面。该第一阴极直径及第二阴极直径可为同心的或轴向偏心的。

    多件式电极孔径
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108369887B

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN201780004430.2

    申请日:2017-01-19

    摘要: 一种用于离子注入系统的光学面板,该光学面板包括一对孔径组件。每对孔径组件各自包括第一孔径构件、第二孔径构件以及孔径固件,其中该孔径固件将第一孔径构件固定至第二孔径构件。孔径尖端可以同样固定至第二孔径构件。第一孔径构件、第二孔径构件、孔径尖端和孔径固件中的一个或多个由耐熔金属、钨、钨镧合金、钨钇合金和/或石墨和碳化硅中的一种或多种制成。孔径组件可以限定离子注入系统中的引出电极组件、接地电极组件或其他电极组件。

    改进的离子源阴极护罩
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108701573B

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN201780004429.X

    申请日:2017-01-19

    IPC分类号: H01J27/02 H01J27/08

    摘要: 一种离子源具有电弧腔室主体的电弧腔室。电极延伸到电弧腔室主体的内部区域中,并且阴极护罩具有呈圆柱形且具有轴向通孔的主体。轴向通孔配置成使电极贯穿其中。主体的第一端和第二端具有相应的第一气体传导限制器和第二气体传导限制器。第一气体传导限制器自主体的外径延伸并且具有U形唇缘。第二气体传导限制器具有用于密封件的凹部,以保护密封件免受腐蚀性气体影响并保持密封件的完整性。气源将气体引入电弧腔室主体。内衬具有配置成使阴极护罩贯穿其中的开口,其中内衬具有凹部。

    镧钨离子源及束线组件
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109075000A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201780025607.7

    申请日:2017-05-15

    IPC分类号: H01J37/08 H01J37/317

    摘要: 本发明提供一种离子注入系统,其具有一个或多个导电组件,所述导电组件由镧钨以及与预定百分比的稀土金属形成合金的耐熔金属中的一种或多种组成。所述导电组件可以是离子源的组件,诸如阴极、阴极护罩、推斥极、内衬、孔板、电弧腔室主体和撞击板中的一个或多个。所述孔板可以与引出孔径、抑制孔径和接地孔径中的一个或多个相关联。