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公开(公告)号：CN104756224B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201380043992.X
申请日：2013-10-30
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: H01L22/26 , C23C14/48 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种离子注入系统，该离子注入系统具有配置成向工件提供聚点离子束的离子注入设备，该聚点离子束具有与其相关的射束密度，其中该工件具有与其相关的晶体结构。扫描系统沿一轴或多轴相对于彼此地反复扫描聚点离子束与工件中的一个或多个。还提供控制器，该控制器配置成在工件上的预定位置暴露于聚点离子束时确立工件的预定局部温度。由此在该预定位置获得工件晶体结构的预定局部失序，其中控制器配置成控制聚点离子束的射束密度以及与扫描系统相关的占空比中的一个或多个，从而在工件上的预定位置确立该工件的局部温度。
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公开(公告)号：CN115053321A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202180012915.2
申请日：2021-02-08
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05
Abstract: 一种用于将高电荷态离子注入到工件中同时减轻痕量金属污染的方法包括从离子源中的所需物质产生处于第一电荷状态的所需离子，以及在第一离子束中产生污染物质的痕量金属离子。所需离子和痕量金属离子的荷质比相等。从离子源中提取所需离子和痕量金属离子。从所需离子中剥离至少一个电子以限定处于第二电荷状态的所需离子和痕量金属离子的第二离子束。仅来自第二离子束的所需离子选择性地仅穿过电荷选择器以限定处于第二电荷状态的所需离子的最终离子束并且没有痕量金属离子，并且将第二电荷状态的所需离子注入到工件中。
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公开(公告)号：CN105960696B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201580006793.0
申请日：2015-01-29
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 舒·佐藤
IPC: H01J37/08
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24535 , H01J2237/30483
Abstract: 本发明提供了一种用以增加离子束利用率的剂量系统和方法，其中一个或多个侧法拉第杯沿着离子束路径而设置,并被用于感测其电流。一个或多个侧法拉第杯所分开的距离与工件直径有关。离子束跨越工件往返扫描，窄扫描和宽扫描交错着，其中窄扫描是由靠近工件边缘的逆转扫描方向来定，宽扫描是由位于侧法拉第杯的外部区域处的逆转扫描方向来定。
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公开(公告)号：CN115053321B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202180012915.2
申请日：2021-02-08
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05
Abstract: 一种用于将高电荷态离子注入到工件中同时减轻痕量金属污染的方法包括从离子源中的所需物质产生处于第一电荷状态的所需离子，以及在第一离子束中产生污染物质的痕量金属离子。所需离子和痕量金属离子的荷质比相等。从离子源中提取所需离子和痕量金属离子。从所需离子中剥离至少一个电子以限定处于第二电荷状态的所需离子和痕量金属离子的第二离子束。仅来自第二离子束的所需离子选择性地仅穿过电荷选择器以限定处于第二电荷状态的所需离子的最终离子束并且没有痕量金属离子，并且将第二电荷状态的所需离子注入到工件中。
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公开(公告)号：CN115769333A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180043817.5
申请日：2021-06-16
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Abstract: 用于形成一等离子体的离子源，具有阴极，该阴极具有一空腔及界定阴极阶梯的阴极表面。灯丝安置于该空腔内。一阴极屏蔽件具有至少部分地包围所述阴极表面的阴极屏蔽件表面。一阴极间隙形成于所述阴极表面与阴极屏蔽件表面之间，界定用于限制该等离子体穿过该间隙的弯曲路径。所述阴极表面可具有由第一阴极直径及第二阴极直径所界定的阶梯式圆柱形表面，该第一阴极直径及第二阴极直径彼此不同，以界定该阴极阶梯。该阶梯式圆柱形表面可为一外表面或一内表面。该第一阴极直径及第二阴极直径可为同心的或轴向偏心的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113853667A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202080037929.5
申请日：2020-05-28
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 舒·佐藤
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H05H7/00 , C23C14/48
Abstract: 离子注入系统具有从射束物质产生离子以形成离子束的源，质量分析器对离子束进行质量分析。加速器接收具有处于第一电荷状态的离子的离子束并且使具有处于第二正电荷状态的离子的离子束射出。加速器具有电荷剥离器、气体源和多个加速器级。电荷剥离器将离子从第一电荷状态转换至第二电荷状态。气体源向电荷剥离器提供诸如六氟化物的高分子量气体，该多个加速器级分别加速离子。终端站支撑将在第二电荷状态下注入离子的工件。
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公开(公告)号：CN107112185B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201580070453.4
申请日：2015-12-28
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 舒·佐藤
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3045 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/244 , H01J2237/24405 , H01J2237/24542
Abstract: 本发明涉及一种离子注入系统的测量系统，该测量系统可以具有绕轴线(184)旋转的扫描臂(166)以及使工件平移通过离子束(112)的工件支撑件(168)。第一测量构件(162)可以位于扫描臂下游并且提供来自离子束的第一信号。具有遮罩(190)和阻挡板(202)的第二测量构件(164)可以耦合(182)至扫描臂以随着扫描臂旋转提供来自离子束的第二信号，其中，遮罩基于遮罩与离子束之间的角取向而允许离子束中不同数量的离子辐射进入法拉第杯(200)；并且阻挡板基于扫描臂旋转来选择性阻挡到法拉第杯的离子束。控制器被配置成至少部分基于来自测量构件的一个或多个信号来确定离子束的尺寸以及离子束与工件之间的相对取向。
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公开(公告)号：CN107112185A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580070453.4
申请日：2015-12-28
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 舒·佐藤
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3045 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/244 , H01J2237/24405 , H01J2237/24542
Abstract: 本发明涉及一种离子注入系统的测量系统，该测量系统可以具有绕轴线(184)旋转的扫描臂(166)以及使工件平移通过离子束(112)的工件支撑件(168)。第一测量构件(162)可以位于扫描臂下游并且提供来自离子束的第一信号。具有遮罩(190)和阻挡板(202)的第二测量构件(164)可以耦合(182)至扫描臂以随着扫描臂旋转提供来自离子束的第二信号，其中，遮罩基于遮罩与离子束之间的角取向而允许离子束中不同数量的离子辐射进入法拉第杯(200)；并且阻挡板基于扫描臂旋转来选择性阻挡到法拉第杯的离子束。控制器被配置成至少部分基于来自测量构件的一个或多个信号来确定离子束的尺寸以及离子束与工件之间的相对取向。
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公开(公告)号：CN105960696A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201580006793.0
申请日：2015-01-29
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 舒·佐藤
IPC: H01J37/08
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24535 , H01J2237/30483
Abstract: 本发明提供了一种用以增加离子束利用率的剂量系统和方法，其中一个或多个侧法拉第杯沿着离子束路径而设置,并被用于感测其电流。一个或多个侧法拉第杯所分开的距离与工件直径有关。离子束跨越工件往返扫描，窄扫描和宽扫描交错着，其中窄扫描是由靠近工件边缘的逆转扫描方向来定，宽扫描是由位于侧法拉第杯的外部区域处的逆转扫描方向来定。
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公开(公告)号：CN118103943A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280068562.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05
Abstract: 一种离子注入系统，具有用于产生离子束的离子源，以及用于限定具有处于第一电荷状态的所需离子的第一离子束的质量分析装置。第一直线加速器将第一离子束加速到多个第一能量。电荷剥离器从所需离子剥离电子，从而限定处于多个第二电荷状态的第二离子束。第一偶极磁体以第一角度在空间上分散和弯曲第二离子束。电荷限定孔使所述第二离子束的所需电荷状态通过，同时阻挡多个第二电荷状态的剩余部分。四极装置在空间上聚焦第二离子束，从而限定第三离子束。第二偶极磁体以第二角度弯曲第三离子束，并且其中，能量限定孔仅使所需离子以所需能量和电荷状态通过。
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