本发明涉及芯片制备领域，公开了一种高亮度Micro‑LED阵列芯片、制备方法及显示装置，其中，芯片包括：转移基板，以及在转移基板上由下往上依次堆叠的透镜层、第一导电层、第二导电层、第一绝缘层、第三导电层以及外延层；以及COMS基板；所述第一导电层、第二导电层、第一绝缘层与第三导电层上具有第一通孔且孔内填充了第一导电层材料；所述外延层包括：若干LED像素单元、第一N电极以及第一P电极；相邻两个LED像素单元之间具有第二通孔，且孔内填充绝缘反射材料；所述CMOS基板上包括：第二N电极以及第二P电极；第二N电极与第一N电极对应相连，第二P电极与第一P电极对应相连。本发明所提供的芯片极大的增加了LED像素单元的出光效率。