发明公开
- 专利标题： 用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法
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申请号： CN202210806502.8申请日： 2022-07-08
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公开(公告)号： CN115877653A公开(公告)日： 2023-03-31
- 发明人: 赵子昂 , 李明洋 , 郑兆钦 , 汪涵
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 优先权： 63/294,719 20211229 US 17/710,545 20220331 US
- 主分类号： G03F1/62
- IPC分类号： G03F1/62 ; G03F1/64 ; G03F7/20
摘要：
用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜，包括薄膜框架和附接至薄膜框架的主膜。主膜包括多个纳米管，每个纳米管包括单壁纳米管或同轴纳米管，并且单壁纳米管或同轴纳米管的最外纳米管为非碳基纳米管。本发明的实施例还提供了制造用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜的方法。
