公开(公告)号：CN112750819A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011161108.0

申请日：2020-10-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吕俊颉 ,  郑兆钦 ,  赵子昂 ,  李连忠

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

摘要： 本发明提供一种具有鳍片结构、源极端子及漏极端子、沟道层以及栅极结构的晶体管装置。鳍片结构设置在材料层上。鳍片结构平行地布置且在第一方向上延伸。源极端子及漏极端子设置在鳍片结构及材料层上且覆盖鳍片结构的相对末端。沟道层分别设置在鳍片结构上，且每个沟道层在相同鳍片结构上的源极端子与漏极端子之间延伸。栅极结构设置在沟道层上且跨越鳍片结构。栅极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸。沟道层的材料包含过渡金属及硫族化物，源极端子及漏极端子包含金属材料，以及沟道层与源极端子及漏极端子共价键合。

公开(公告)号：CN112447908A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010887089.3

申请日：2020-08-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑兆钦 ,  赵子昂 ,  吕俊颉 ,  江宏礼 ,  陈自强 ,  李连忠

IPC分类号： H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  H01L51/05 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

摘要： 一种形成半导体器件的方法包括：在隔离层上方形成第一低维层；在第一低维层上方形成第一绝缘体；在第一绝缘体上方形成第二低维层；在第二低维层上方形成第二绝缘体；并且将第一低维层、第一绝缘体、第二低维层、以及第二绝缘体图案化成凸出的鳍。第一低维层、第一绝缘体、第二低维层、以及第二绝缘体的剩余部分分别形成第一低维带、第一绝缘体带、第二低维带、以及第二绝缘体带。然后基于凸出的鳍形成晶体管。本申请另一方面提供了一种半导体器件。

公开(公告)号：CN115437208A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210553811.9

申请日：2022-05-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赵子昂 ,  郑兆钦 ,  汪涵

IPC分类号： G03F1/24 ,  H01L21/033

摘要： 用于EUV光掩模的薄膜包括：第一层；第二层；以及主层，设置在第一层和第二层之间并且包括多个纳米管。第一层或第二层中的至少一个包括其中堆叠有一个或多个二维层的二维材料。在以上和以下的一个或多个实施例中，第一层包括第一二维材料并且第二层包括第二二维材料。本申请的实施例还涉及用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜及其制造方法。

公开(公告)号：CN113314671A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110275150.3

申请日：2021-03-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赵子昂 ,  皮特纳·麦可·格列高里 ,  陈则安 ,  李连忠 ,  林毓超

IPC分类号： H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  H01L51/05 ,  B01D61/00

摘要： 提供了半导体器件及其使用碳纳米管的制造方法。在实施例中，形成纳米管堆叠件，然后利用非破坏性去除工艺来减小该纳米管堆叠件的厚度。然后可以由减小的纳米管堆叠件来形成诸如晶体管的器件。

公开(公告)号：CN115877653A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210806502.8

申请日：2022-07-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赵子昂 ,  李明洋 ,  郑兆钦 ,  汪涵

IPC分类号： G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

摘要： 用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜，包括薄膜框架和附接至薄膜框架的主膜。主膜包括多个纳米管，每个纳米管包括单壁纳米管或同轴纳米管，并且单壁纳米管或同轴纳米管的最外纳米管为非碳基纳米管。本发明的实施例还提供了制造用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜的方法。

公开(公告)号：CN115437207A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210492979.3

申请日：2022-05-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赵子昂 ,  郑兆钦 ,  汪涵 ,  李明洋 ,  皮特纳·麦可·格列高里

IPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/62

摘要： 用于EUV光掩模的薄膜包括第一层、第二层以及设置在第一层和第二层之间的主膜。主膜包括多个同轴纳米管，多个同轴纳米管的每个包括内管和围绕内管的一个或多个外管，并且内管和一个或多个外管中的两个由彼此不同的材料制成。本申请的实施例还涉及用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法。

公开(公告)号：CN114765133A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110744902.6

申请日：2021-07-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吕俊颉 ,  赵子昂 ,  郑兆钦 ,  李连忠

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

摘要： 半导体器件包括：半导体衬底；低k介电层，位于半导体衬底上方；隔离层，位于低k介电层上方；以及功函层，位于蚀刻停止层上方。功函层是n型功函层。器件还包括：低维半导体层，位于功函层的顶面和侧壁上；源极/漏极接触件，接触低维半导体层的相对端部；以及介电掺杂层，位于低维半导体层的沟道部分上方并且接触低维半导体层的沟道部分。介电掺杂层包括选自铝和铪的金属，并且低维半导体层的沟道部分还包括金属。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法。