- 专利标题: 一种基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备方法
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申请号: CN202310063279.7申请日: 2023-01-16
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公开(公告)号: CN115915896A公开(公告)日: 2023-04-04
- 发明人: 隋解和 , 谢亮军 , 刘紫航 , 郭逢凯
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
- 代理商 侯静
- 主分类号: H10N10/853
- IPC分类号: H10N10/853 ; H10N10/817 ; H10N10/82 ; H10N10/01 ; B82Y15/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
一种基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备方法,本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有MgAgSb使用的阻挡层为Ag,而在富Ag环境中MgAgSb中容易生成Ag3Sb,导致MgAgSb/Mg3Bi2器件无法实现长期稳定性的问题。方法:一、制备MgCuSb纳米粉末;二、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99纳米粉末;三、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99‑Mg3.2Bi1.5Sb0.5热电发电器件。本发明用于基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备。
公开/授权文献
- CN115915896B 一种基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备方法 公开/授权日:2023-06-02