发明授权
- 专利标题: 一种高磁感的低温取向硅钢及其生产方法
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申请号: CN202211412456.X申请日: 2022-11-11
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公开(公告)号: CN115927816B公开(公告)日: 2024-10-01
- 发明人: 骆新根 , 陈博 , 叶鹏 , 李国保 , 郭小龙 , 高洋 , 孙亮 , 程祥威 , 申明辉 , 刘敏
- 申请人: 武汉钢铁有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市青山区厂前2号门内
- 专利权人: 武汉钢铁有限公司
- 当前专利权人: 武汉钢铁有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市青山区厂前2号门内
- 代理机构: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 张秋燕
- 主分类号: C21D8/12
- IPC分类号: C21D8/12 ; C21D1/26 ; C21D1/74 ; C21D6/00 ; C22C38/02 ; C22C38/04 ; C22C38/06 ; C22C38/16 ; C22C38/20 ; C22C38/28 ; C22C38/32 ; C22C38/34 ; C22C38/60 ; C23C8/26
摘要:
本发明公开了一种高磁感的低温取向硅钢的生产方法,通过优化渗氮工艺,将冷轧所得钢带在脱碳退火与高温退火之间采用的气体渗氮分为三个阶段,第一阶段的温度控制在600~700℃,渗氮时间为5~10秒,NH3通入流量为4~10m3/h,炉内露点40~60℃;第二阶段的温度控制在750~840℃,不通NH3,时间20~40秒,炉内露点为‑20℃~0℃;第三阶段的温度控制在850~1000℃,时间为10~30秒,NH3通入流量为10~25m3/h,炉内露点控制在20~40℃;三个阶段均在H2+N2的保护气中进行。本发明使表层抑制剂在渗氮过程中偏析在晶界附近,而非平均匀分布于基体中,延缓二次再结晶过程中表层晶粒的长大,从而保证二次再结晶过程的充分和完整,成品刻痕磁性能有明显提高。
公开/授权文献
- CN115927816A 一种高磁感的低温取向硅钢及其生产方法 公开/授权日:2023-04-07