Invention Publication
CN115956063A 正极活性物质的制造方法
审中-实审
- Patent Title: 正极活性物质的制造方法
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Application No.: CN202180050208.2Application Date: 2021-08-06
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Publication No.: CN115956063APublication Date: 2023-04-11
- Inventor: 山崎舜平 , 掛端哲弥 , 石谷哲二 , 门马洋平 , 吉谷友辅
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川
- Agency: 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- Agent 贾成功
- Priority: 2020-150429 20200908 JP 2020-150429 20200908 JP
- International Application: PCT/IB2021/057244 2021.08.06
- International Announcement: WO2022/038454 JA 2022.02.24
- Date entered country: 2023-02-15
- Main IPC: C01G53/00
- IPC: C01G53/00

Abstract:
提供一种高纯度化的正极活性物质的制造方法。另外,提供一种反复进行充放电结晶结构也不容易崩塌的正极活性物质的制造方法。本发明的一个方式是一种包含锂及过渡金属的正极活性物质的制造方法,包括:使用包含过渡金属的水溶液和碱性水溶液来制造包含过渡金属的氢氧化物的第一步骤;准备锂化合物的第二步骤;混合锂化合物及氢氧化物来形成混合物的第三步骤;以及加热混合物来形成包含锂及过渡金属的复合氧化物的第四步骤,其中,在第二步骤中,作为锂化合物准备纯度为99.99%以上的材料,并且,在露点为‑50℃以下的含氧气氛中进行第四步骤中的加热。
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