公开(公告)号：CN115956063A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202180050208.2

申请日：2021-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  掛端哲弥 ,  石谷哲二 ,  门马洋平 ,  吉谷友辅

IPC: C01G53/00

Abstract: 提供一种高纯度化的正极活性物质的制造方法。另外，提供一种反复进行充放电结晶结构也不容易崩塌的正极活性物质的制造方法。本发明的一个方式是一种包含锂及过渡金属的正极活性物质的制造方法，包括：使用包含过渡金属的水溶液和碱性水溶液来制造包含过渡金属的氢氧化物的第一步骤；准备锂化合物的第二步骤；混合锂化合物及氢氧化物来形成混合物的第三步骤；以及加热混合物来形成包含锂及过渡金属的复合氧化物的第四步骤，其中，在第二步骤中，作为锂化合物准备纯度为99.99％以上的材料，并且，在露点为‑50℃以下的含氧气氛中进行第四步骤中的加热。

公开(公告)号：CN114830324A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080085779.5

申请日：2020-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  掛端哲弥 ,  神保安弘 ,  惠木勇司

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/316 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种可靠性高的存储装置。该存储装置通过如下步骤形成：在衬底上形成第一绝缘体；在第一绝缘体上形成第二绝缘体；在第二绝缘体上形成第三绝缘体；形成贯穿第一绝缘体、第二绝缘体以及第三绝缘体的开口；在开口中在第一绝缘体的侧面、第二绝缘体的侧面以及第三绝缘体的侧面的内侧形成第四绝缘体；在第四绝缘体的内侧形成氧化物半导体；去除第二绝缘体；以及在第一绝缘体与第三绝缘体之间形成导电体，并且第四绝缘体通过多次的如下循环形成，该循环包括：对配置有衬底的处理室供应包含硅的气体及氧化性气体的第一步骤；停止对处理室供应包含硅的气体的第二步骤；以及在处理室内生成包含氧化性气体的等离子体的第三步骤。

公开(公告)号：CN101689532A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880022826.0

申请日：2008-06-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高野圭惠 ,  掛端哲弥 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/8247 ,  G06K19/077 ,  H01L21/336 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/1157 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/13 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中在衬底上制造存储晶体管和多个薄膜晶体管，其具有不同厚度的栅绝缘膜。本发明的特征在于该存储晶体管和所述多个薄膜晶体管之间的结构差异。具体地，该存储晶体管和所述多个薄膜晶体管的一些被设置为具有底栅结构，而其它薄膜晶体管设置为具有顶栅结构，这使得能够减小晶体管的特性缺陷并简化其制造工艺。

公开(公告)号：CN116848667A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280012213.9

申请日：2022-01-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  吉谷友辅 ,  门马洋平 ,  福岛邦宏 ,  掛端哲弥

IPC: H01M4/525

Abstract: 提供一种新颖的正极活性物质的制造方法。一种正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：混合钴源及添加元素源形成酸溶液；使酸溶液与碱溶液起反应形成钴化合物；混合钴化合物及锂源形成混合物；以及加热混合物，其中，添加元素源为包含选自镓、铝、硼、镍和铟中的一个以上的化合物。

公开(公告)号：CN113557608A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202080020164.4

申请日：2020-03-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  掛端哲弥 ,  佐藤优一 ,  芝崎笃 ,  种村和幸 ,  广濑贵史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种晶体管特性偏差小的半导体装置。该半导体装置包括如下制造步骤：形成第一至第三绝缘体；在第三绝缘体上依次形成第四绝缘体、第一氧化膜、第二氧化膜、第三氧化膜、第一导电膜、第一绝缘膜、第二导电膜；将其加工为岛状而形成第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物层、第一导电层、第一绝缘层、第二导电层；去除第二导电层；在第四绝缘体、第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物层、第一导电层、第一绝缘层上形成第五及第六绝缘体；通过形成到达第二氧化物的开口，形成第三氧化物、第四氧化物、第一导电体、第二导电体、第七绝缘体、第八绝缘体；在开口中形成第五氧化物、第九绝缘体、第三导电体，其中第五绝缘体利用偏压溅射法形成。

公开(公告)号：CN101689532B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200880022826.0

申请日：2008-06-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高野圭惠 ,  掛端哲弥 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/8247 ,  G06K19/077 ,  H01L21/336 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/1157 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/13 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中在衬底上制造存储晶体管和多个薄膜晶体管，其具有不同厚度的栅绝缘膜。本发明的特征在于该存储晶体管和所述多个薄膜晶体管之间的结构差异。具体地，该存储晶体管和所述多个薄膜晶体管的一些被设置为具有底栅结构，而其它薄膜晶体管设置为具有顶栅结构，这使得能够减小晶体管的特性缺陷并简化其制造工艺。

公开(公告)号：CN118019717A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202280063728.1

申请日：2022-09-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 齐藤丞 ,  川月惇史 ,  门马洋平 ,  吉富修平 ,  中西健太 ,  掛端哲弥

IPC: C01G53/00 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0569

Abstract: 本发明提供一种可用于低温环境下也具有良好的放电特性的锂离子电池的正极活性物质的制造方法。该正极活性物质的制造方法包括如下步骤：以700℃以上且1000℃以下的温度将中值粒径(D50)为10μm以下的钴酸锂加热1小时以上且5小时以下的第一工序；对经过该第一工序的钴酸锂混入氟源及镁源制造第一混合物的第二工序；以800℃以上且1100℃以下的温度将该第一混合物加热1小时以上且10小时以下的第三工序；对经过该第三工序的第一混合物混入镍源及铝源制造第二混合物的第四工序；以及以800℃以上且950℃以下的温度将该第二混合物加热1小时以上且5小时以下的第五工序。

公开(公告)号：CN113795928A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202080032665.4

申请日：2020-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村川努 ,  安藤善范 ,  掛端哲弥 ,  佐藤优一 ,  方堂凉太

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156

Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀少的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第一导电体及第二导电体；与第一氧化物的侧面接触的第一层及第二层；第一绝缘体、第一层、第二层、第一导电体及第二导电体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；配置在第一导电体与第二导电体之间且第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第四绝缘体；以及第四绝缘体上的第三导电体，其中，第一层及第二层各自包含第一导电体及第二导电体所含有的金属，并且，与第二绝缘体接触的区域中的第一绝缘体具有金属的浓度比第一层或第二层低的区域。

公开(公告)号：CN102324398B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201110191546.6

申请日：2008-06-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 掛端哲弥

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/112 ,  H01L27/1122 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制造方法、半导体装置及其制造方法，该半导体衬底的制造方法包括如下步骤：在单晶半导体衬底上形成第一绝缘膜；通过向所述单晶半导体衬底导入第一离子而在所述单晶半导体衬底中形成分离层；在所述第一绝缘膜中导入第二离子，其中所述第二离子是卤素离子；中间夹着第二绝缘膜地接合所述单晶半导体衬底和支撑衬底；进行加热处理，以单晶半导体膜残留在所述支撑衬底上的方式分离所述单晶半导体衬底，并由此使所述单晶半导体膜中包含所述卤素；以及在所述单晶半导体膜上进行化学机械抛光。

公开(公告)号：CN101281912B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200810085214.8

申请日：2008-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  掛端哲弥 ,  饭窪阳一

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种SOI衬底，该SOI衬底具备有当使用玻璃衬底等耐热温度低的衬底时也可以实用的耐性的SOI层。另外，本发明还提供使用这种SOI衬底的半导体装置。当对具有绝缘表面的衬底或绝缘衬底键合单晶半导体层时，对于形成键合的面的一方或双方使用以有机硅烷为原材料来淀积的氧化硅膜。根据本结构，可以使用玻璃衬底等耐热温度为700℃以下的衬底，来获得坚固地键合的SOI层。亦即，可以在一边超过一米的大面积衬底上形成单晶半导体层。