本发明涉及半导体发光二极管技术领域，公开了一种设有连接层的外延片及包含该外延片的发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、连接层、低温P型GaN层、电子阻挡层及高温P型GaN层，其中，连接层包括位于多量子阱层上的第一连接层，以及第一连接层上的第二连接层，第一连接层为未掺杂GaN层，第二连接层为AlN/GaN超晶格结构。本发明的连接层由GaN与AlN/GaN超晶格结构组成，可以在提升连接层的生长质量的同时提高连接层的势垒高度，改善了电子溢流，进而提升多量子阱层的发光效率。