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公开(公告)号：CN115347087A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210953377.3
申请日：2022-08-10
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 一种LED外延新型应力释放层生长方法，具体的方法包括提供一衬底，以及在衬底表面依次生长缓冲层、u型GaN层、重掺Si的n型GaN层、应力释放层、发光层和p型GaN层；所述的应力释放层的生长方法为：依次/循环生长第一超晶格层和第二超晶格层；所述的第一超晶格层包括周期性交替生长的GaN层和InXGa(1‑X)N层，0≤X＜0.8；所述的第二超晶格层包括周期性交替生长的GaN层和InYGa(1‑Y)N层，0≤Y＜1。本发明通过第一超晶格层的设置，起到改善堆垛层错的效果，防止直接生长第二超晶格层形成晶格失配大，导致堆垛层错产生电性异常的现象，能够有效改善结晶质量，增加内量子效率从而提升LED发光效率。
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公开(公告)号：CN109346575A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811022389.4
申请日：2018-09-03
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种发光二极管外延片及其制备方法。发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、n型电子阻挡层、应力释放层、具有新量子阱结构的发光层、p型电子阻挡层、p型氮化镓层、p型接触层。本发明创新在于设计了一种新的量子阱生长结构，通过在传统量子阱生长前后插入富铟层，减少了量子阱层铟组分的波动，在较大程度上提高了外延片的发光均匀性，进而提升了LED芯片的光效性能。
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公开(公告)号：CN116314499A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310059892.1
申请日：2023-01-17
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种有源垒层掺Mg的外延结构及制备方法和芯片，其外延结构包括衬底，以及依次位于其上的缓冲层，未掺杂U型GaN层，GaN层，有源层，p型GaN层及p型接触层；所述有源层从下至上依次为有源阱层和有源垒层交替生长形成，其中，有源垒层包括掺Si有源垒层和至少一层的掺Mg有源垒层。本发明利用阱层和垒层交替层叠而成的有源层结构，并至少在其中一个量子垒中通入一定量的Mg，让有源垒层中的空穴向两侧量子阱中迁移，改善只有后几个阱发光的情况，从而提升内量子效率，提升发光效率。
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公开(公告)号：CN115986014A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211440073.3
申请日：2022-11-17
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体发光二极管技术领域，公开了一种设有连接层的外延片及包含该外延片的发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、连接层、低温P型GaN层、电子阻挡层及高温P型GaN层，其中，连接层包括位于多量子阱层上的第一连接层，以及第一连接层上的第二连接层，第一连接层为未掺杂GaN层，第二连接层为AlN/GaN超晶格结构。本发明的连接层由GaN与AlN/GaN超晶格结构组成，可以在提升连接层的生长质量的同时提高连接层的势垒高度，改善了电子溢流，进而提升多量子阱层的发光效率。
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公开(公告)号：CN115986014B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211440073.3
申请日：2022-11-17
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体发光二极管技术领域，公开了一种设有连接层的外延片及包含该外延片的发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、连接层、低温P型GaN层、电子阻挡层及高温P型GaN层，其中，连接层包括位于多量子阱层上的第一连接层，以及第一连接层上的第二连接层，第一连接层为未掺杂GaN层，第二连接层为AlN/GaN超晶格结构。本发明的连接层由GaN与AlN/GaN超晶格结构组成，可以在提升连接层的生长质量的同时提高连接层的势垒高度，改善了电子溢流，进而提升多量子阱层的发光效率。
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公开(公告)号：CN115084325A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210948659.4
申请日：2022-08-09
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种提升抗静电能力的GaN基LED外延结构及其制备方法，低温pGaN层之间和pAlGaN层之间增加插入层，所述插入层为AlN层；或，所述插入层为InxAl1‑xN层，其中0
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公开(公告)号：CN115000260A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210774776.3
申请日：2022-07-01
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延结构层及其制备方法和LED芯片。外延结构层，包括依次设置于衬底之上的缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；缓冲层包括层叠设置的第一缓冲层和第二缓冲层，第一缓冲层靠近衬底；第一缓冲层掺杂有第一碳杂质和第一氢杂质；第二缓冲层掺杂有第二碳杂质和第二氢杂质；第一碳杂质的掺杂浓度大于第一氢杂质的掺杂浓度；第二碳杂质的掺杂浓度小于第一碳杂质的掺杂浓度，第二氢杂质的掺杂浓度小于第一氢杂质的掺杂浓度。本发明的外延结构层可防止Ga空位向有源层扩散，改善晶体质量，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN109326692B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201811022425.7
申请日：2018-09-03
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明属于半导体器件制备技术领域，一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，氮化镓基发光二极管外延片从下到上依次为蓝宝石衬底、AlN缓冲层、3D生长过程中插入5～20个周期AlxGa(1‑x)N/AlN/GaN超晶格层应力释放层、2D GaN层、n型GaN层、nsls应力释放层、MQW发光层和P型GaN层。超晶格的生长方式能有效调控外延层中的应力，有效避免外延层生长后薄膜龟裂的出现，同时也提高了GaN薄膜的生长质量。由于超晶格层能有效释放应力，MQW发光层中由于应力产生的内建电场在较大程度上得以减弱，量子阱能带倾斜减小，电子和空穴波函数重叠增加，MQW发光层亮度得到有效提升。
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公开(公告)号：CN109326692A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811022425.7
申请日：2018-09-03
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明属于半导体器件制备技术领域，一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，氮化镓基发光二极管外延片从下到上依次为蓝宝石衬底、AlN缓冲层、3D生长过程中插入5～20个周期AlxGa(1-x)N/AlN/GaN超晶格层应力释放层、2D GaN层、n型GaN层、nsls应力释放层、MQW发光层和P型GaN层。超晶格的生长方式能有效调控外延层中的应力，有效避免外延层生长后薄膜龟裂的出现，同时也提高了GaN薄膜的生长质量。由于超晶格层能有效释放应力，MQW发光层中由于应力产生的内建电场在较大程度上得以减弱，量子阱能带倾斜减小，电子和空穴波函数重叠增加，MQW发光层亮度得到有效提升。
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公开(公告)号：CN115986021B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310036188.4
申请日：2023-01-10
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体发光二极管技术领域，公开了一种具有缓冲层的外延结构及包含该结构的发光二极管，该外延结构将第二缓冲层分为二段，第二段的Si掺杂浓度低于第一段的Si掺杂浓度，且多量子阱层包括第一多量子阱层及置于其上的第二多量子阱层，所述第一多量子阱层的Si掺杂浓度低于所述第二多量子阱层的Si掺杂浓度且高于所述第二缓冲层的Si掺杂浓度。本发明通过调整N型半导体层至P型半导体层之间Si浓度曲线的变化，既改善LED的电性能又可以减少对MQW晶体质量的影响，从而提升LED发光效率。
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