Invention Publication
CN115996566A 半导体器件
审中-实审
- Patent Title: 半导体器件
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Application No.: CN202211076642.0Application Date: 2022-09-05
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Publication No.: CN115996566APublication Date: 2023-04-21
- Inventor: 金硕炫 , 金冈昱 , 金永信 , 金真雅 , 申东花
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 程丹辰
- Priority: 10-2021-0137810 20211015 KR
- Main IPC: H10B12/00
- IPC: H10B12/00

Abstract:
一种半导体器件包括:衬底,包括有源单元区域、边界区域和在其间的虚设单元区域;位线,设置在有源单元区域上,在第一方向上延伸,并在第二方向上彼此间隔开,位线包括在第二方向上交替布置的第一位线和第二位线;位线垫,在边界区域上在第二方向上彼此间隔开,第二位线在第一方向上延伸到虚设单元区域和边界区域,并分别连接到位线垫;以及绝缘分离图案,在边界区域上并且在位线垫之间。绝缘分离图案的一部分延伸到在边界区域上在第二位线之间的区域中,并与对应的第一位线的端部接触。
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