发明公开
- 专利标题： 高纯SiC晶体的制造方法
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申请号： CN202211396415.6申请日： 2022-11-09
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公开(公告)号： CN116103752A公开(公告)日： 2023-05-12
- 发明人: 金佳福 , 姜秉昶 , 朴秉铉 , 田埈基 , 郑昌垣 , 全昇安
- 申请人： OCI有限公司
- 申请人地址： 韩国首尔
- 专利权人： OCI有限公司
- 当前专利权人： OCI有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国首尔
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 谭天; 孙雅雯
- 优先权： 10-2021-0155113 20211111 KR
- 主分类号： C30B25/00
- IPC分类号： C30B25/00 ; C30B29/36 ; C30B28/14
摘要：
高纯SiC晶体的制造方法，本发明涉及制造高纯碳化硅(silicon carbide，SiC)晶体的方法，更具体地，涉及以优秀的收率大量生产杂质的含量极低的高纯SiC的方法。
