公开(公告)号：CN116103752A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211396415.6

申请日：2022-11-09

申请人： OCI有限公司

发明人： 金佳福 ,  姜秉昶 ,  朴秉铉 ,  田埈基 ,  郑昌垣 ,  全昇安

IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B29/36 ,  C30B28/14

摘要： 高纯SiC晶体的制造方法，本发明涉及制造高纯碳化硅(silicon carbide，SiC)晶体的方法，更具体地，涉及以优秀的收率大量生产杂质的含量极低的高纯SiC的方法。

公开(公告)号：CN107867693A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710866470.X

申请日：2017-09-22

申请人： OCI有限公司

发明人： 朴秉铉 ,  金佳福 ,  郑昌垣 ,  姜秉昶

IPC分类号： C01B33/035

摘要： 本发明公开了一种用于将多晶硅与碳夹头分离的装置和方法。该装置通过在其上附着有多晶硅的碳夹头(多晶硅-碳夹头)上施加高频电流进行感应加热，从而选择性地加热碳夹头，所述碳夹头来自用于合成多晶硅的室。因此，可以熔化多晶硅与碳夹头接触的接触表面，并且分离并收集多晶硅和碳夹头而不造成损伤。